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CY11153 Palladium (Pd)-beschichtete Silizium-Wafer

Katalog-Nr. CY11153
Material Palladium, Silizium
Reinheit Pd: ≥99.95%
Formular Substrat

Palladium (Pd) beschichtete Siliziumwafer werden mit einer dünnen Palladiumschicht versehen, die durch Sputtern auf ein Siliziumsubstrat aufgebracht wird, um spezifische Herausforderungen bei Halbleiterprozessen zu bewältigen. Stanford Advanced Materials (SAM) setzt präzise Abscheidetechniken und Inline-Oberflächenqualitätskontrollen mit fortschrittlichen Messinstrumenten ein. Dieser Ansatz minimiert Oberflächendefekte und sorgt für Gleichmäßigkeit, wodurch eine effektive Schnittstelle für nachfolgende Verarbeitungsschritte geschaffen wird, während gleichzeitig strenge Prozesskontrollen eingehalten werden.

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FAQ

Welchen Einfluss hat die Palladiumbeschichtung auf die Leistung des Wafers bei der Halbleiterverarbeitung?

Die Palladiumbeschichtung wirkt während der thermischen Verarbeitung als Diffusionsbarriere und reduziert die Risiken der Metallmigration und Oxidation. Diese kontrollierte Schnittstelle verbessert die Prozessstabilität und -konsistenz in Mikrofertigungsumgebungen.

Welche Reinigungsverfahren werden empfohlen, bevor diese Wafer in Halbleiterprozesse integriert werden?

Es werden Standard-Reinigungsprotokolle für Halbleiter unter Verwendung von RCA-Verfahren empfohlen. Diese Verfahren entfernen organische und anorganische Verunreinigungen, ohne die strukturelle Integrität der Palladiumschicht zu beeinträchtigen.

Kann der Wafer ohne zusätzliche Änderungen in bestehende Siliziumprozesse integriert werden?

Ja, die Kompatibilität des Substrats mit Standard-Verarbeitungsanlagen ermöglicht die Integration in bestehende Silizium-Prozessabläufe. Geringfügige Anpassungen können erforderlich sein, um den Einfluss der Metallbeschichtung während der thermischen Zyklen zu berücksichtigen. Für weitere Details kontaktieren Sie uns bitte.

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