AL10311 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Schablone auf 2 Zoll Silizium Zoll x 200 nm

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium Zoll x 200 nm Beschreibung

Das Material besteht aus Aluminiumnitrid und Silizium und bildet ein spezielles Substrat für Halbleiteranwendungen. Die Größe von 2 Zoll x 2 Zoll gewährleistet die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsanlagen. Die Schichtdicke von 200 nm spielt eine entscheidende Rolle bei der Beherrschung thermischer Gradienten und der elektrischen Isolierung. Die definierte AlN/Si-Grenzfläche unterstützt die Integration in Geräte, die kontrollierte dielektrische Eigenschaften und eine minimale Defektdichte für empfindliche Elektronik erfordern.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium Zoll x 200 nm Anwendungen

1.elektronische Anwendungen
- Verwendung als dielektrische Schicht in Halbleiterbauelementen zur Erzielung einer verbesserten elektrischen Isolierung durch Ausnutzung der kontrollierten AlN-Schichteigenschaften.
- Verwendung als Substrat in Sensoranordnungen zur Erzielung stabiler Signalpegel durch gut definierte kristalline Ausrichtungen.

2.industrielle Anwendungen
- Verwendung als Basis für integrierte Schaltkreise in Hochtemperaturumgebungen zur Minimierung der thermischen Fehlanpassung durch Nutzung der Wärmeleitfähigkeit des Keramikmaterials.
- Häufiger Einsatz in mikroelektronischen Gehäusen zur Reduzierung von Leckströmen durch Ausnutzung der scharfen Grenzfläche zwischen AlN und Silizium.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium Zoll x 200 nm Verpackung

Das Substrat ist in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, um mechanische Belastungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Es ist unter einer inerten Atmosphäre in einem undurchlässigen Beutel versiegelt, um eine minimale Belastung durch Feuchtigkeit oder Partikel zu gewährleisten. Die Lagerungsanweisungen empfehlen eine kontrollierte Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und Raumtemperatur. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich zusätzlicher Schutzeinlagen und spezieller Etikettierung, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Qualitätskontrollmethoden werden zur Überwachung der Gleichmäßigkeit der Folie eingesetzt?
A1: SAM setzt die Rasterelektronenmikroskopie (REM) und die Röntgenbeugung (XRD) ein, um die Gleichmäßigkeit des Films zu beurteilen und die kristallografische Ausrichtung zu bestätigen, die Defektdichte zu reduzieren und eine ordnungsgemäße Grenzflächenentwicklung sicherzustellen.

F2: Wie wirkt sich die AlN/Si-Grenzfläche des Substrats auf die Leistung der Halbleiterbauelemente aus?
A2: Die gut definierte Grenzfläche minimiert elektrische Leckagen und verbessert die Isolierung, was für die Stabilität der Bauelemente während der Verarbeitung und des Betriebs bei hohen Temperaturen entscheidend ist.

F3: Welche Lagerungspraktiken helfen, die Eigenschaften des Substrats zu erhalten?
A3: Es wird empfohlen, das Substrat in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und kontrollierter Temperatur unter Verwendung einer antistatischen Verpackung aufzubewahren, um Verunreinigungen zu vermeiden und die Integrität der AlN-Schicht zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid (AlN) ist ein keramisches Material, das für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und seine dielektrischen Eigenschaften bekannt ist. In Verbindung mit Silizium erfordert das daraus resultierende Substrat sorgfältige Abscheidungstechniken, um sicherzustellen, dass die Grenzfläche und die Gleichmäßigkeit der Schicht den Standards des Halbleiterprozesses entsprechen. Das Verständnis der Wechselwirkungen zwischen AlN und Silizium ist entscheidend für die Optimierung der Materialleistung.

Die Fortschritte bei der Herstellung von Keramiksubstraten haben die Bedeutung einer kontrollierten Abscheidung und Oberflächencharakterisierung deutlich gemacht. Das Zusammenspiel zwischen thermischer Ausdehnung, dielektrischen Eigenschaften und Grenzflächenqualität treibt die Forschung und Entwicklung in den Bereichen elektronisches Packaging und Sensorintegration weiter voran und stellt sicher, dass die Substrate in verschiedenen anspruchsvollen Anwendungen wie vorgesehen funktionieren.