AL10310 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Schablone auf 4 Zoll Silizium 4 Zoll x 500 nm

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 4 Zoll Silizium 4 Zoll x 500 nm Beschreibung

Die undotierte Aluminiumnitrid-AlN-Schablone auf 4-Zoll-Silizium (Si <111> P-Typ B-dotiert) wird als 500-nm-Schicht auf einen 4-Zoll-Siliziumwafer mit kontrollierter p-Typ B-Dotierung aufgebracht. Die aus AlN und Si bestehende Struktur bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung, was für Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung ist. Die gleichmäßige Schicht trägt zur Minimierung von Gitterfehlanpassungen und thermischen Spannungen bei der Herstellung von Bauelementen bei und gewährleistet die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsanlagen.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 4 Zoll Silizium 4 Zoll x 500 nm Anwendungen

1.elektronische und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Dielektrikum oder Sperrschicht in Hochfrequenztransistoren zur Kontrolle von Leckströmen durch Ausnutzung der elektrischen Isolierung und der kristallographischen Ausrichtung der Schicht.
- Anwendung als Zwischenschicht in HF-Geräten zur Verringerung der parasitären Kapazität durch die gleichmäßige Dicke von 500 nm.

2.industrielle und sensorische Anwendungen
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung von Sensoren zur Aufrechterhaltung der thermischen Stabilität durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit von AlN.
- Wird häufig in mikroelektronischen Gehäusen eingesetzt, um thermische Spannungen zu mindern, wobei die kontrollierten Grenzflächeneigenschaften des Materials genutzt werden.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 4 Zoll Silizium 4 Zoll x 500 nm Verpackung

Das Substrat ist in einem mit antistatischem Schaumstoff ausgekleideten Behälter in einem versiegelten Polyäthylenbeutel verpackt, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Es sollte in einer trockenen, temperaturkontrollierten Umgebung gelagert werden, um seine Filmkonsistenz zu erhalten. Zusätzliche kundenspezifische Optionen, wie z. B. Vakuumversiegelung und maßgeschneiderte Unterteilung in Fächer, sind verfügbar, um die spezifischen Handhabungsanforderungen für die Halbleiterverarbeitung zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?
A1: SAM setzt die Rasterelektronenmikroskopie und Profilometrie ein, um die Gleichmäßigkeit der Folie zu überprüfen und Defekte zu identifizieren. So wird sichergestellt, dass Verarbeitungsschwankungen innerhalb der für Halbleiteranwendungen akzeptablen Grenzen bleiben.

F2: Wie beeinflusst die B-Dotierung des Typs P die Leistung des Substrats?
A2: Die kontrollierte B-Dotierung im Siliziumsubstrat verbessert die elektrischen Eigenschaften und erleichtert die gleichmäßige Integration mit der AlN-Schicht, was für eine gleichbleibende Leistung der Bauelemente unter Halbleiterprozessbedingungen unerlässlich ist.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Integrität des Substrats zu erhalten?
A3: Das Substrat sollte in einer feuchtigkeitsarmen, temperaturstabilen Umgebung unter Verwendung einer statikfreien, kontaminationsfreien Verpackung gelagert werden, um die Exposition gegenüber mechanischen Belastungen und Umweltverschmutzungen zu minimieren.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid (AlN) ist weithin bekannt für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und seine elektrischen Isolationseigenschaften, wodurch es sich für moderne elektronische Anwendungen eignet. Durch die Kombination von AlN mit einem Siliziumsubstrat wird eine Plattform geschaffen, die eine effiziente Wärmeableitung unterstützt und die thermische Belastung während des Betriebs der Geräte minimiert.

Bei der Herstellung von Halbleitern ist die Kontrolle der kristallinen Ausrichtung und der Gleichmäßigkeit des Films entscheidend für die Zuverlässigkeit der Geräte. Die Integration von undotiertem AlN auf einem Siliziumwafer mit einer definierten <111>-Orientierung stellt sicher, dass das resultierende Substrat strengen Verarbeitungsschritten standhalten kann, ohne die strukturelle Integrität zu beeinträchtigen, die für elektronische Hochleistungsgeräte erforderlich ist.