AL10309 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN-Schablone auf Silizium (Si <111> P-Typ) 10 mmx10 mm x 200 nm

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN-Schablone auf Silizium (Si <111> P-Typ) 10 mmx10 mm x 200 nm Beschreibung

Undotiertes Aluminiumnitrid (AlN) auf Silizium (Si <111> P-Typ) wird durch ein präzises Abscheidungsverfahren hergestellt, das einen 200 nm dicken AlN-Film auf einem 10 mm x 10 mm großen Siliziumsubstrat erzeugt. Diese Konfiguration ermöglicht eine kontrollierte elektrische Isolierung und ein effizientes Wärmemanagement, was für die Integration von Halbleiterbauelementen unerlässlich ist. Die einheitliche kristalline Ausrichtung des Substrats unterstützt die Prozesskonsistenz und die Kompatibilität mit Standard-Mikrofabrikationsprotokollen.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf Silizium (Si <111> P Typ) 10 mmx10 mm x 200 nm Anwendungen

1.
Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Isolierschicht bei der Herstellung integrierter Schaltkreise zur Verringerung elektrischer Leckagen durch Ausnutzung seiner dielektrischen Eigenschaften.
- Verwendung als Passivierungsschicht in Sensorgeräten zur Verbesserung der thermischen Stabilität und zum Schutz vor Verunreinigungen durch die gleichmäßige Filmstruktur.

2.
Industrielle Anwendungen
- Wird als Substrat in Leistungsmodulen verwendet, um eine effiziente Wärmeableitung durch Ausnutzung der inhärenten Wärmeleitfähigkeit zu erreichen.
- Dient als Träger für Dünnschichtprozesse in der Mikroelektronikmontage, um durch eine stabile und glatte Oberfläche die Gleichmäßigkeit des Prozesses zu gewährleisten.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf Silizium (Si <111> P-Typ) 10 mmx10 mm x 200 nm Verpackung

Das Substrat ist sicher in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter mit Feuchtigkeitsschutzbeuteln verpackt, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Die Verpackung ist mit einer robusten Beschriftung versehen, die die Produktspezifikationen und Handhabungsanweisungen deutlich angibt. Um die Unversehrtheit der Folie zu gewährleisten, sollte sie in einer Umgebung mit kontrollierter Temperatur und geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Es sind kundenspezifische Verpackungsoptionen erhältlich, um den Schutz für spezielle Transport- oder Lageranforderungen anzupassen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welchen Einfluss hat die Schichtdicke auf die Substratintegration in Halbleiterprozessen?
A1: Die AlN-Schichtdicke von 200 nm sorgt für eine kontrollierte Isolierung und ein Wärmemanagement, das für die Verringerung elektrischer Leckagen und die Verbesserung der Wärmeableitung bei der Halbleiterherstellung unerlässlich ist. Eine einheitliche Schicht unterstützt auch die Konsistenz über alle Verarbeitungsschritte hinweg.

Q2: Welche Qualitätskontrollmethoden werden während des AlN-Abscheidungsprozesses angewendet?
A2: Der Abscheidungsprozess umfasst hochauflösende REM-Bildgebung und Oberflächenmesstechnik, um die Gleichmäßigkeit der Schicht zu überwachen und Fehler zu erkennen. Diese Kontrollen gewährleisten die Einhaltung der Maßtoleranzen und die Materialkonsistenz während der gesamten Produktion.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Leistung des Substrats zu erhalten?
A3: Das Substrat sollte in einer Umgebung mit kontrollierter Temperatur und geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Eine schützende Verpackung minimiert die Exposition gegenüber Verunreinigungen und mechanischen Belastungen und bewahrt die strukturelle und funktionelle Integrität des Substrats.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid ist ein keramisches Material, das für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und elektrischen Isolationseigenschaften bekannt ist. Als Substrat ist seine Fähigkeit, Wärme zu leiten und eine stabile dielektrische Schicht zu bilden, von entscheidender Bedeutung für die Halbleiterherstellung und unterstützt präzise elektronische und mikroelektronische Anwendungen.

Das Verständnis des Abscheidungsprozesses und der Mikrostruktur des Substrats ist wichtig für die Optimierung der Leistung von integrierten Schaltungen und Leistungselektronik. Die sorgfältige Kontrolle der Schichtdicke und der kristallinen Ausrichtung verbessert die Kompatibilität mit der Standard-Halbleiterverarbeitung und trägt so zu einer höheren Effizienz und Zuverlässigkeit der Geräte bei.