AL10305 Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 4 Zoll x 0,5mm AlN Film 5000nm

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 5000nm Beschreibung

Dieses Substrat besteht aus einem Aluminiumnitridfilm, der auf einer Saphir (Al2O3)-Plattform mit einer einseitigen Politur abgeschieden wurde, die die Oberflächenrauhigkeit minimiert. Sein Durchmesser von 4 Zoll und seine Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterfertigungsanlagen, während die Schichtdicke von 5000 nm eine effiziente Wärmeleitung und mechanische Integrität unterstützt. XRD- und SEM-Analysen bestätigen die kristalline Struktur und die Oberflächenmorphologie, was das Vertrauen in seine Leistung für Präzisionsanwendungen stärkt.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 5000nm Anwendungen

1.elektronische Fertigung
- Verwendung als Substratkomponente in LED-Bauteilen, um eine verbesserte Wärmeableitung durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit zu erreichen.
- Anwendung als dielektrische Schicht in RF-Komponenten zur Optimierung der Signalleistung durch die glatte, polierte Oberfläche.

2.industrielle Sensortechnik
- Dient als Basis für Hochtemperatursensoren, um durch seine keramische Stabilität einen stabilen Betrieb zu erreichen.
- Wird als integraler Bestandteil von Leistungsmodulen verwendet, um das Wärmemanagement durch seine gleichmäßige Schichtstruktur zu unterstützen.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 5000nm Verpackung

Das Substrat ist in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter mit einer Feuchtigkeitssperre verpackt, um mechanische und elektrostatische Schäden zu verhindern. Es wird unter kontrollierter Temperatur und Luftfeuchtigkeit gelagert, um die Materialintegrität zu erhalten. Zusätzliche kundenspezifische Optionen, einschließlich maßgeschneiderter Schutzschichten und individueller Beschriftung, sind verfügbar, um spezielle Handhabungs- und Logistikanforderungen für empfindliche elektronische Anwendungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Oberflächenbeschaffenheit des Substrats sichergestellt?
A1: Das Substrat wird während der Produktion einer gründlichen REM-Inspektion und XRD-Analyse unterzogen. Dies gewährleistet eine minimale Oberflächenrauheit und bestätigt die gleichmäßige Ausrichtung der AlN-Schicht, die für eine leistungsstarke Geräteintegration unerlässlich ist.

F2: Welche Verarbeitungsschritte tragen zur thermischen Leistung bei?
A2: Die Abscheidung der AlN-Schicht wird sorgfältig kontrolliert, um eine einheitliche Dicke von 5000 nm zu erreichen. Diese Schicht sorgt zusammen mit der Saphirbasis für eine wirksame Wärmeableitung und erhält die strukturelle Stabilität unter Betriebsbelastung.

F3: Können die Abmessungen des Substrats für spezielle Anwendungen angepasst werden?
A3: Ja, SAM bietet Anpassungen der Substratabmessungen und der Schichtdicke auf der Grundlage spezifischer Geräteanforderungen. Diese Flexibilität ermöglicht die Integration in verschiedene Halbleiterfertigungsprozesse unter Beibehaltung kritischer thermischer und mechanischer Eigenschaften.

Zusätzliche Informationen

Keramische Substrate wie Aluminiumnitridschichten auf Saphir sind ein wesentlicher Bestandteil von Anwendungen, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung erfordern. Die Kombination von AlN und Al2O3 gewährleistet ein Gleichgewicht zwischen Wärmemanagement und struktureller Integrität, was für elektronische Schaltungen und optoelektronische Geräte mit hoher Dichte entscheidend ist.

Fortschritte bei den Abscheidetechniken und der Oberflächenmesstechnik haben die Präzision von Keramiksubstraten verbessert. Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Mikrostruktur und thermischen Eigenschaften ist der Schlüssel zur Optimierung der Leistung in anspruchsvollen Fertigungsumgebungen und unterstreicht die Bedeutung einer systematischen Qualitätskontrolle in der Werkstofftechnik.