AL10304 Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir Al2O3 (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN Film 1000 nm

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir Al2O3 (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000 nm Beschreibung

Dieses Substrat kombiniert eine 1000 nm dicke Aluminiumnitridschicht mit einer Saphir (Al2O3)-Basis und bietet eine hochgradig ebene und glatte Oberfläche für die Halbleiterverarbeitung. Die einseitig polierte Technik minimiert die Oberflächenrauhigkeit und verbessert die Gleichmäßigkeit. Mit Abmessungen von 4 Zoll mal 0,5 mm unterstützt die Schablone die zuverlässige Integration in die Bauelementeherstellung und erleichtert die präzise lithografische Ausrichtung und das effiziente Wärmemanagement bei Hochleistungsanwendungen.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir Al2O3 (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN Film 1000 nm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als aktives Substrat in leistungselektronischen Geräten zur Steuerung der Wärmeableitung durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit von Saphir.
- Anwendung als Basis in Hochfrequenzkomponenten zur Verbesserung der Signalintegrität durch den gleichmäßigen AlN-Film.

2.industriell
- Dient als Funktionsschicht in Sensorbaugruppen, um durch die glatte, defektarme Oberfläche des Substrats eine höhere Empfindlichkeit zu erzielen.
- Wird häufig in Präzisionsbearbeitungswerkzeugen verwendet, bei denen die Dimensionsstabilität für eine hochauflösende Strukturierung unerlässlich ist.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir Al2O3 (0001) 4 Zoll x 0,5 mm AlN Film 1000 nm Verpackung

Das Substrat ist in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter mit einer Schutzhülle verpackt, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Es ist in einer feuchtigkeitssperrenden Verpackung versiegelt, um die Unversehrtheit der Oberfläche zu erhalten und die Verunreinigung durch Partikel zu minimieren. Es wird empfohlen, es bei kontrollierter Raumtemperatur zu lagern. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, wie z. B. in Fächer unterteilte Einsätze und Etikettierung, sind erhältlich, um spezifischen Handhabungsprotokollen zu entsprechen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die einseitig polierte Oberfläche auf die Integration des Substrats in Halbleiterprozesse aus?
A1: Die polierte Oberfläche verringert die Oberflächenrauhigkeit, verbessert die lithografische Genauigkeit und gewährleistet eine bessere Schichthaftung. Diese Gleichmäßigkeit ist entscheidend für die Minimierung von Defekten bei nachfolgenden Verarbeitungsschritten.

F2: Welche Rolle spielt das Saphirsubstrat beim Wärmemanagement?
A2: Saphir (Al2O3) bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit, die bei der Wärmeableitung während des Betriebs der Geräte hilft. Diese Eigenschaft ist besonders vorteilhaft bei Hochleistungselektronik, bei der die thermische Stabilität entscheidend ist.

F3: Welche Reinigungsprotokolle werden vor der Herstellung der Bauteile empfohlen?
A3: Eine Standardreinigung, wie z. B. die RCA-Reinigung, gefolgt von einer Spülung mit deionisiertem Wasser, wird empfohlen, um Verunreinigungen zu entfernen, ohne die Integrität des Films zu beeinträchtigen. Dieser Prozess stellt sicher, dass das Substrat seine Eigenschaften während der Integration beibehält.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid (AlN)-Keramiken werden aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und elektrischen Isolationseigenschaften in Hochleistungsanwendungen geschätzt. Die Integration einer AlN-Schicht auf Saphir verbessert sowohl die mechanische als auch die thermische Leistung des Substrats, so dass es sich für Halbleiter- und Sensoranwendungen eignet.

Fortschritte bei den Abscheidungs- und Poliertechniken haben die Konsistenz und Einheitlichkeit von AlN-Schichten verbessert. Diese Verbesserungen sind von entscheidender Bedeutung für Präzisionsanwendungen, bei denen die Gleichmäßigkeit der Schichten die Leistung, Zuverlässigkeit und Integrationseffizienz von Bauteilen in komplexen Fertigungsprozessen erheblich beeinflussen kann.