AL10303 Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN Film 5000 nm

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 5000 nm Beschreibung

Dieses Substrat besteht aus einem präzise polierten Aluminiumnitridfilm (AlN) auf einem Saphir (Al2O3) Substrat. Die Abmessungen von 2" x 0,5 mm werden mit einer Schichtdicke von 5000 nm beibehalten, was die Kompatibilität mit Halbleiterbearbeitungswerkzeugen gewährleistet. Die polierte Oberfläche sorgt für eine verbesserte Gleichmäßigkeit der Grenzflächen, was für die Minimierung von Defekten bei der Bauelementeherstellung und den nachfolgenden Integrationsprozessen entscheidend ist.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 5000 nm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als dielektrische Schicht in integrierten Schaltungen zur Erzielung einer kontrollierten Kapazität durch Ausnutzung der gleichmäßigen Oberflächenbeschaffenheit.
- Anwendung in RF-Modulen zur Minimierung von Signalverlusten durch Ausnutzung der kontrollierten Schichtdicke des Materials.

2. dieHalbleiterverarbeitung
- Dient als Substrat in mikroelektronischen Geräten, um die Reproduzierbarkeit des Prozesses zu verbessern, indem es eine glatte, defektminimierte Oberfläche gewährleistet.
- Wird häufig für Teststrukturen in fortschrittlichen Verpackungen verwendet, um eine präzise Schichtgleichmäßigkeit zu erreichen.

3.industrielle Sensoren
- Wird als Komponente in Sensoranordnungen für Hochtemperaturumgebungen verwendet, indem seine chemische Inertheit und hohe Wärmeleitfähigkeit ausgenutzt wird.
- Wird in optischen Systemen eingesetzt, um eine stabile Plattform für die Kalibrierung und Leistungskonstanz zu schaffen.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 5000 nm Verpackung

Das Produkt ist in einer antistatischen Schale verpackt, die in einem mit Schaumstoff ausgekleideten Karton gesichert ist, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Die polierte Oberfläche ist mit Schutzfolien versehen. Die Lagerung in einer sauberen, temperaturgeregelten Umgebung wird empfohlen, um die Integrität des Substrats zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungen sind je nach den spezifischen Anforderungen an Handhabung, Etikettierung und Transport erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden bei der Herstellung dieser Schablone eingesetzt?
A1: SAM setzt optische Mikroskopie und Profilometrie ein, um die Gleichmäßigkeit der polierten Oberfläche zu beurteilen und die Schichtdicke zu kontrollieren. Diese systematischen Kontrollen tragen dazu bei, Oberflächenfehler zu minimieren und die Maßhaltigkeit zu gewährleisten.

F2: Wie kommt die Struktur des Substrats der Halbleiterverarbeitung zugute?
A2: Die gleichmäßige, polierte AlN-Schicht, die auf Saphir abgeschieden wird, verbessert die Schichthaftung und minimiert Grenzflächendefekte. Dies fördert die Reproduzierbarkeit des Prozesses und die Leistung der Bauteile während der Hochtemperatur-Fertigungszyklen.

F3: Können die Abmessungen des Substrats oder die Schichteigenschaften individuell angepasst werden?
A3: Ja, die Größe des Substrats und die Schichtdicke können kundenspezifisch angepasst werden. Es werden ausführliche Gespräche über die gewünschten Materialeigenschaften und Verarbeitungsparameter geführt, um das Substrat für spezifische Halbleiteranwendungen anzupassen.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid (AlN)-Substrate sind aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und ihrer ausgezeichneten elektrischen Isolationseigenschaften in der modernen Keramiktechnologie weithin anerkannt. Die Integration von AlN-Filmen in Saphir-Substrate bietet ein Gleichgewicht zwischen mechanischer Stabilität und thermischer Leistung, was verschiedenen Halbleiteranwendungen zugute kommt.

Um die Herstellung von Bauelementen zu optimieren, ist das Verständnis des Zusammenspiels zwischen der Gleichmäßigkeit der Schichten und der Prozesskompatibilität entscheidend. Eine detaillierte Materialcharakterisierung, einschließlich der Analyse von Oberflächenrauheit und Defektdichte, ist ein wesentlicher Bestandteil, um sicherzustellen, dass diese Substrate den strengen Industrienormen entsprechen.