AL10302 Zweiseitige polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN Film 1000nm

Zweiseitige polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000nm Beschreibung

Die beidseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone integriert einen 1000nm AlN-Film auf einem Saphir-Al2O3 (0001) Substrat. Die Abmessungen von 2 Zoll mal 0,5 mm sind für Anwendungen in der Halbleiter- und Mikroelektronik optimiert. AlN verbessert die Wärmeleitfähigkeit, während die Saphirbasis Gitterfehlanpassungen reduziert. Diese Struktur erleichtert die präzise Abscheidung von Schichten und minimiert die Belastung, so dass sie sich für die Integration von Hochleistungselektronikgeräten eignet.

Zweiseitige polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000nm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als dielektrisches Substrat in RF-Schaltungen zur Minimierung von Signalverlusten durch Ausnutzung der niedrigen Dielektrizitätskonstante.
- Anwendung als Wärmespreizer in Leistungsmodulen zur Erhaltung der thermischen Stabilität durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit.

2.industriell
- Verwendung als Plattform für mikroelektronische Sensoren zur Verbesserung der Signalintegrität durch Ausnutzung einer einheitlichen Filmoberfläche.
- Einsatz als Isolierschicht in Präzisionsmessgeräten zur Erzielung genauer Messwerte durch Nutzung kontrollierter Materialeigenschaften.

Zweiseitige polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000nm Verpackung

Das Substrat wird in antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern verpackt und in Feuchtigkeitsschutzbeuteln versiegelt, um Verunreinigungen und mechanische Schäden zu vermeiden. Die schützende Polsterung minimiert Vibrationen und Stöße während des Transports. Lagern Sie das Substrat in einer sauberen, trockenen und temperaturgeregelten Umgebung, um die Integrität der Folie zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich unterteilter Einsätze und detaillierter Beschriftung, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die 1000nm-Filmdicke während der Produktion überwacht?
A1: Die Schichtdicke wird mit spektroskopischer Ellipsometrie und Profilometrie überprüft, um gleichmäßige Abscheidungsraten und Gleichmäßigkeit auf der Substratoberfläche für die Halbleiterverarbeitung sicherzustellen.

Q2: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Handhabung dieses Substrats getroffen werden?
A2: Verwenden Sie antistatische Handhabungswerkzeuge und arbeiten Sie in einer kontrollierten Reinraumumgebung, um eine Partikelkontamination zu vermeiden. Eine ordnungsgemäße Lagerung unter kontrollierten Feuchtigkeitsbedingungen wird empfohlen, um die Filmeigenschaften zu erhalten.

F3: Ist eine Anpassung der Substratabmessungen für bestimmte Anwendungen möglich?
A3: Ja, Anpassungen des Durchmessers, der Dicke und der Parameter für die Schichtabscheidung sind möglich. Kundenspezifische Aufträge werden nach detaillierten Spezifikationen bearbeitet, um bestimmte Halbleiter- oder mikroelektronische Anforderungen zu erfüllen.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid (AlN) wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seiner isolierenden Eigenschaften in der Hochtemperaturelektronik und der Halbleiterfertigung geschätzt. Saphir (Al2O3)-Substrate werden häufig wegen ihrer optischen Klarheit und strukturell robusten kristallinen Ausrichtung verwendet, die eine präzise Schichtabscheidung erleichtert. Die Integration dieser Materialien fördert die Leistungsfähigkeit der Bauelemente, insbesondere bei Anwendungen, die ein effizientes Wärmemanagement und eine elektrische Isolierung erfordern.

Die Kombination von AlN und Saphir führt zu Substraten mit geringer Gitterfehlanpassung und reduzierter thermischer Belastung, was für moderne elektronische Gehäuse und Hochfrequenzschaltungen von zentraler Bedeutung ist. Das Verständnis ihrer Wechselwirkung ist für die Optimierung der Leistung mikroelektronischer und optoelektronischer Systeme unerlässlich.