AL10301 Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000 nm

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000 nm Beschreibung

Die Schablone besteht aus einem einseitig polierten AlN-Film, der auf einem (0001) Saphirsubstrat abgeschieden wurde. Die Abmessungen von 2 Zoll x 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterbearbeitungswerkzeugen, während die einheitliche Schichtdicke von 1000 nm für definierte dielektrische Eigenschaften sorgt. Die einseitig polierte Oberfläche minimiert die Streuung und fördert die effiziente Abscheidung nachfolgender Schichten für elektronische und opto-elektronische Hochleistungssysteme.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000 nm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat in HF-Schaltungen verwendet, um den dielektrischen Verlust durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit von AlN zu verringern, was zu einer stabilen Leistung bei Hochfrequenzbetrieb führt.
- Wird als Basis für Hochgeschwindigkeits-Halbleiterbauelemente verwendet, um die Wärmeentwicklung durch effiziente Wärmeableitung zu verringern und die Betriebsstabilität zu gewährleisten.

Optoelektronik
- Einsatz als Plattform in LED-Strukturen zur Verbesserung der Photonenextraktion durch Ausnutzung der glatten, einseitig polierten Oberfläche, die die Oberflächenstreuung minimiert.
- Wird bei der Herstellung von Laserdioden verwendet, um eine einheitliche Oberfläche zu erzeugen, die eine gleichmäßige Lichtemission unterstützt, indem sie Unregelmäßigkeiten der Oberfläche reduziert.

Einseitig polierte Aluminiumnitrid-Schablone auf Saphir (0001) 2 Zoll x 0,5 mm AlN-Film 1000 nm Verpackung

Die Schablonen sind in antistatischen, reinraumtauglichen Trägern mit Schaumstoffeinlagen verpackt, um mechanische Einwirkungen zu minimieren. Sie sind in Beuteln mit Feuchtigkeitsbarriere versiegelt, um Verunreinigungen zu vermeiden, und werden unter kontrollierten Bedingungen mit niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich vakuumversiegelter Behälter und spezieller Beschriftung, sind erhältlich, um die genauen Lager- und Transportanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Oberflächenqualität dieser AlN-Schablonen überprüft?
A1: Die Oberflächenqualität wird mittels Interferometrie und Rasterelektronenmikroskopie überprüft, um Gleichmäßigkeit und minimale Defekte sicherzustellen. Diese Techniken bestätigen, dass der einseitige Polierprozess die strengen Kriterien erfüllt, die für die moderne Halbleiterverarbeitung erforderlich sind.

Q2: Welche Vorteile bietet die AlN-Schicht für das Wärmemanagement bei der Bauteilintegration?
A2: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von AlN ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung während des Betriebs der Bauelemente. Diese Eigenschaft reduziert thermische Gradienten und verhindert so eine lokale Überhitzung und unterstützt eine gleichbleibende Leistung bei Hochleistungsanwendungen.

F3: Können die Abmessungen des Substrats für bestimmte Anwendungen angepasst werden?
A3: Ja, die Abmessungen des Substrats können an spezifische Prozessanforderungen angepasst werden. Maßgeschneiderte Schneid- und Formprozesse stehen zur Verfügung, um die genauen Gerätespezifikationen und Anwendungsanforderungen zu erfüllen und die Kompatibilität mit verschiedenen Gerätearchitekturen zu gewährleisten.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid ist ein keramisches Material, das für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und seine stabilen dielektrischen Eigenschaften bekannt ist, was es für elektronische Anwendungen bei hohen Temperaturen wertvoll macht. Die Integration eines AlN-Films auf einem Saphir-Substrat ermöglicht eine verbesserte Gitteranpassung und ein besseres Wärmemanagement, was bei der Herstellung moderner Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung ist.

Die Verwendung einer einseitig polierten Oberfläche verbessert die nachfolgende Schichtabscheidung durch Verringerung der Oberflächenrauhigkeit und der Streuungseffekte. Diese Verarbeitungsmethode eignet sich für Anwendungen, bei denen eine hohe Grenzflächenqualität erforderlich ist, und die Kombination von AlN und Saphir wurde wegen ihres Potenzials für elektronische und optoelektronische Geräte der nächsten Generation eingehend erforscht.