AL10300 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Vorlage auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm

Undotierte Aluminiumnitrid-AlN-Schablone auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Beschreibung

Die undotierte Aluminiumnitrid-AlN-Schablone auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm ist ein einkristallines Keramiksubstrat, das eine 5000 nm dünne AlN-Schicht auf einer Saphir (Al2O3)-Basis mit einer Größe von 10x10 mm integriert. Die definierte Schichtdicke erleichtert die gleichmäßige Abscheidung des Films, während die undotierte Beschaffenheit von AlN die Störung durch Verunreinigungen minimiert. Diese Struktur bietet stabile dielektrische Eigenschaften und ein verbessertes Wärmemanagement, das die Herausforderungen bei anspruchsvollen elektronischen Herstellungsprozessen meistert.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als dielektrische Schicht in RF-Modulen, um eine präzise Signalisolierung zu erreichen, indem die stabilen thermischen und dielektrischen Eigenschaften des Materials genutzt werden.
- Anwendung als Wärmespreizer in LED-Baugruppen zur Verbesserung der Wärmeableitung durch Ausnutzung der Verbundmikrostruktur.

Halbleiterherstellung
- Wird als Substrat für das epitaktische Filmwachstum verwendet, um eine gleichmäßige Abscheidung zu erreichen, indem die glatte Saphiroberfläche und die kontrollierten AlN-Eigenschaften genutzt werden.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Vorlage auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Verpackung

Die Substrate werden in antistatischen, schaumstoffgepolsterten Behältern verpackt, um mechanische Belastungen und Verunreinigungen zu reduzieren. Sie sind zum Schutz vor physischen Stößen in starre Kisten eingeschlossen. Die Verpackung ist für die Lagerung bei kontrollierter Luftfeuchtigkeit ausgelegt, so dass sie nur minimaler Feuchtigkeit ausgesetzt ist. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, wie vakuumversiegelte oder mit Inertgas gespülte Boxen, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Verarbeitungsprobleme können bei der Verwendung dieses Substrats in Hochtemperaturumgebungen auftreten?
A1: Die Aufrechterhaltung der Ebenheit des Substrats bei schnellen Temperaturwechseln kann eine Herausforderung darstellen. Eine ordnungsgemäße Temperaturrampe und die Kalibrierung der Verarbeitungsgeräte tragen dazu bei, Verformungen oder Mikrorisse während der Abscheidung zu vermeiden.

Q2: Wie wirkt sich die Schichtdicke von 5000 nm auf die nachfolgende Schichtabscheidung aus?
A2: Die einheitliche Schichtdicke von 5000 nm gewährleistet eine gleichmäßige Keimbildung und bietet eine konsistente Plattform für das weitere Schichtwachstum, während gleichzeitig stressbedingte Defekte bei der Halbleiterherstellung minimiert werden.

F3: Können standardmäßige Nachbearbeitungstechniken angewendet werden, ohne die AlN/Al2O3-Grenzfläche zu stören?
A3: Ja, Techniken wie Plasmareinigung und selektives Ätzen können eingesetzt werden. Sorgfältig optimierte Prozessparameter sind wichtig, um die mikrostrukturelle Integrität an der AlN/Al2O3-Grenzfläche zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid-Substrate sind bekannt für ihre Wärmeleitfähigkeit und niedrige Dielektrizitätskonstante, wodurch sie sich für Hochtemperatur- und Elektronikanwendungen eignen. In Kombination mit Saphir ergibt sich ein Verbundwerkstoff, der eine gute Wärmeableitung mit stabilen elektrischen Eigenschaften verbindet, was für die Herstellung von Halbleiterbauelementen entscheidend ist.

Durch die Integration von undotiertem AlN mit Saphir (Al2O3) werden die inhärenten Materialeigenschaften beider Verbindungen genutzt. Kontrollierte Abscheidungsmethoden und strenge Überprüfungsprozesse verbessern die Gleichmäßigkeit der Schichten und die Glätte der Oberflächen, die für die präzise Herstellung von Bauelementen und das Wärmemanagement in anspruchsvollen Betriebsumgebungen unerlässlich sind.