AL10299 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Schablone auf 2 Zoll Silizium 5 mm x 5 mm x 200 nm

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium 5 mm x 5 mm x 200 nm Beschreibung

Die undotierte Aluminiumnitrid-AlN-Schablone auf 2-Zoll-Silizium 5 mm x 5 mm x 200 nm besteht aus einer epitaktisch aufgewachsenen AlN-Schicht auf einem Siliziumsubstrat, die ein hohes Maß an Einheitlichkeit der Schichtdicke gewährleistet. Die Größe von 5 mm x 5 mm ist mit der Standard-Halbleiterverarbeitung im kleinen Maßstab kompatibel, während die Schichtdicke von 200 nm die Integration in Geräte erleichtert, die präzise Isolier- und Sperrschichten erfordern. Die inhärenten keramischen Eigenschaften des Substrats bieten chemische Inertheit und thermische Stabilität.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium 5 mm x 5 mm x 200 nm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als isolierende Barriere in Halbleiterbauelementen zur Reduzierung von Leckströmen durch Ausnutzung der chemischen Inertheit des AlN-Films.
- Anwendung als dielektrische Schnittstelle in RF-Schaltungen zur Aufrechterhaltung der Signaltreue durch einen stabilen, gleichmäßigen dünnen Film.

Industrielle Verarbeitung
- Dient als Substrat in Mikrofabrikationsprozessen, um durch seine gleichmäßige Schichtdicke eine Kontamination bei Hochtemperaturvorgängen zu verhindern.
- Wird als Barriereschicht in der LED-Herstellung verwendet, um Diffusionseffekte durch Ausnutzung der thermischen Stabilität zu mildern.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium 5 mm x 5 mm x 200 nm Verpackung

Das Substrat wird in antistatischen, versiegelten Polyethylenbeuteln verpackt und in starre, stoßdämpfende Kartons gelegt. Es wird bei kontrollierter Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert, um die Aufnahme von Feuchtigkeit und die Verunreinigung durch Partikel zu verhindern. Die Verpackungen können mit zusätzlichen Feuchtigkeitsregulierungsmerkmalen und in Fächer unterteilten Einsätzen ausgestattet werden, um die strengen Handhabungsanforderungen während des Transports und der Lagerung zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welches Verfahren wird verwendet, um eine gleichmäßige AlN-Schicht auf Silizium zu erhalten?
A1: Die AlN-Schicht wird mit kontrollierten CVD-Techniken abgeschieden und durch Inline-SEM und Profilometrie überwacht, um eine gleichmäßige Dicke und Oberflächenmorphologie zu erhalten.

Q2: Welchen Nutzen hat die undotierte Beschaffenheit der AlN-Schicht für Halbleiteranwendungen?
A2: Das Fehlen von Dotierung minimiert unbeabsichtigte freie Ladungsträger und gewährleistet stabile dielektrische Eigenschaften, die für die Leistung von Hochfrequenzgeräten unerlässlich sind.

F3: Welche Lagerungsumgebung wird für diese Substrate empfohlen?
A3: Die Substrate sollten bei kontrollierter Temperatur und geringer Luftfeuchtigkeit in einer antistatischen Verpackung gelagert werden, um feuchtigkeitsbedingten Abbau und Verunreinigungen zu vermeiden.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumnitrid wird häufig in elektronischen Anwendungen eingesetzt, bei denen eine hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung erforderlich sind. Die Integration einer AlN-Schicht auf einem Siliziumsubstrat ermöglicht die Kombination von keramischen und halbleitenden Eigenschaften, was fortschrittliche Bauelementarchitekturen in der Mikroelektronik ermöglicht.

Die Dünnschichtabscheidung von AlN auf Silizium erfordert eine strenge Kontrolle der Prozessparameter, einschließlich der Temperatur, des Drucks und der Durchflussmengen der Ausgangsstoffe. Dadurch wird sichergestellt, dass die entstehende Schicht eine einheitliche Struktur und vorhersehbare elektrische Eigenschaften aufweist, was für die Reproduzierbarkeit in der Forschung und bei industriellen Anwendungen entscheidend ist.