AL10296 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Schablone auf 2 Zoll Silizium (Si <111> N Typ) 2 Zoll x 500 nm

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium (Si <111> N-Typ) 2 Zoll x 500 nm Beschreibung

Undotiertes Aluminiumnitrid (AlN) auf einem 2-Zoll-Silizium-Substrat (Ausrichtung Si <111>) weist eine präzise Schichtdicke von 500 nm auf. Das Substrat unterstützt die Herstellung von Standard-Halbleiterbauelementen, indem es kontrollierte kristallografische Eigenschaften und eine geringe Defektdichte beibehält. Seine chemische Inertheit und Wärmeleitfähigkeit tragen zur Stabilität der Bauelemente bei der Hochtemperaturverarbeitung bei. Die definierte Schichtdicke gewährleistet die Einheitlichkeit des Substrats für eine konsistente Integration in elektronische Systeme.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium (Si <111> N Typ) 2 Zoll x 500 nm Anwendungen

1.elektronische Anwendungen
- Verwendung als Isolierschicht in RF-Schaltungen zur Erzielung einer niedrigen parasitären Kapazität durch Ausnutzung des geringen dielektrischen Verlusts der AlN-Schicht.
- Verwendung als Passivierungsschicht in Halbleiterbauelementen zur Verringerung von Leckströmen durch Ausnutzung der gleichmäßigen Dicke und der kontrollierten Kristallographie der Schicht.

2.industrielle Anwendungen
- Einsatz als Wärmemanagement-Element in der Leistungselektronik zur Wärmeableitung durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit der AlN-Schicht.
- Verwendung als Substratbasis in der MEMS-Fertigung zur Gewährleistung der Dimensionsstabilität durch Ausnutzung der präzisen Kontrolle der Schichtabscheidung.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf 2 Zoll Silizium (Si <111> N Typ) 2 Zoll x 500 nm Verpackung

Das Substrat ist in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, um mechanischen Schutz und Kontaminationskontrolle zu gewährleisten. Eine versiegelte Kunststofftasche schützt vor Feuchtigkeit und Partikeln. Die Verpackung ist so konzipiert, dass während der Lagerung eine stabile Temperaturumgebung aufrechterhalten wird. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, wie vakuumversiegelte Einheiten oder zusätzliche Polsterung, sind erhältlich, um speziellen Handhabungs- und Versandanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die 500 nm AlN-Folie auf die Geräteleistung aus?
A1: Die 500 nm AlN-Schicht bietet eine kontrollierte dielektrische Schicht mit geringer Defektdichte, wodurch parasitäre Effekte in Hochfrequenzschaltungen minimiert werden. Diese einheitliche Schicht unterstützt die präzise Integration in der Halbleiterfertigung, indem sie gleichbleibende elektrische und thermische Eigenschaften auf dem gesamten Substrat gewährleistet.

Q2: Welche Lagerbedingungen werden für dieses Substrat empfohlen?
A2: Das Substrat sollte in einer temperaturgeregelten Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden, um die AlN-Schicht vor Feuchtigkeit und Verunreinigungen durch Partikel zu schützen. Die Verwendung einer antistatischen und gepolsterten Verpackung hilft, mechanische Beschädigungen zu vermeiden und die Integrität des Films über die Zeit zu erhalten.

F3: Ist das Substrat mit Standard-Siliziumverarbeitungsanlagen kompatibel?
A3: Ja, die 2-Zoll-Siliziumbasis und die kontrollierte AlN-Schicht sind so konzipiert, dass sie in routinemäßige Halbleiterfertigungsprozesse integriert werden können. Die genau definierte Dicke und kristallografische Ausrichtung ermöglichen die Kompatibilität mit etablierten Protokollen zur Herstellung von Bauelementen.

Zusätzliche Informationen

Keramische Substrate wie die auf Aluminiumnitrid basierenden sind entscheidend für Anwendungen, bei denen Wärmemanagement und elektrische Isolierung von entscheidender Bedeutung sind. Die intrinsischen Eigenschaften von AlN, einschließlich seiner Wärmeleitfähigkeit und dielektrischen Leistung, machen es für den Einsatz in elektronischen Verpackungen und Leistungsgeräten geeignet.

Die Integration einer AlN-Schicht auf Silizium bietet ein Gleichgewicht zwischen den mechanischen Eigenschaften von Silizium und den elektrischen Eigenschaften von AlN. Diese Kombination unterstützt die Fortschritte in der Halbleiterverarbeitung, indem sie die Herausforderungen der Wärmeableitung und der Miniaturisierung von Bauelementen angeht und gleichzeitig die Dimensionsstabilität und Prozesskompatibilität aufrechterhält.