AL10295 Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Vorlage auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Beschreibung

Dieses Substrat weist eine epitaktisch gewachsene Aluminiumnitridschicht auf einer Saphir (Al2O3)-Basis mit einer (0001)-Ausrichtung auf. Die Abmessungen von 10x10 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen, während die Schichtdicke von 1000 nm eine entscheidende Rolle für die dielektrische Leistung und das Wärmemanagement spielt. Die undotierte Beschaffenheit des Films minimiert die Störung durch Verunreinigungen und optimiert so seine Verwendung in Hochfrequenzschaltungen und bei der Herstellung elektronischer Komponenten.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Anwendungen

Elektronische Anwendungen
- Verwendung als Isolierschicht in HF-Schaltungen zur Verringerung der parasitären Kapazität durch Ausnutzung der kontrollierten kristallinen Ausrichtung des Films.
- Anwendung als dielektrische Barriere in der Leistungselektronik, um die thermische Belastung durch die hohe Wärmeleitfähigkeit zu verringern.

Industrielle Anwendungen
- Einsatz als Substratkomponente in Sensormodulen zur Gewährleistung einer stabilen Signalausgabe durch Ausnutzung der gleichmäßigen Filmmorphologie.
- Anwendung in Hochtemperatur-Prozessüberwachungssystemen zur Aufrechterhaltung der elektrischen Isolierung durch Ausnutzung der chemischen Inertheit.

Undotiertes Aluminiumnitrid AlN Template auf Saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Verpackung

Das Substrat ist in statisch ableitenden Trägern verpackt und mit Schaumstoffeinlagen gepolstert, um mechanische Stöße abzufedern. Es ist in einem Beutel mit Feuchtigkeitsbarriere versiegelt, um eine Kontamination während des Transports zu verhindern. Die Lagerung in einer sauberen, temperaturkontrollierten Umgebung wird empfohlen, um die Materialintegrität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen mit zusätzlichen Maßnahmen zum Schutz vor Kontamination und zur Polsterung sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die epitaktische Abscheidung auf die Leistung des Substrats aus?
A1: Durch die epitaktische Abscheidung wird eine einheitliche kristalline Struktur geschaffen, die die dielektrische Konsistenz und die Wärmeleitfähigkeit verbessert, die für Halbleitergeräte unerlässlich sind. Dieses kontrollierte Wachstum minimiert die Defektdichte und erleichtert die präzise Integration mit anderen elektronischen Komponenten.

F2: Welche besonderen Handhabungsverfahren werden für dieses Substrat empfohlen?
A2: Das Substrat muss in einer Reinraumumgebung mit antistatischen Vorkehrungen gehandhabt werden. Es sollte bei kontrollierter Temperatur und Luftfeuchtigkeit gelagert werden, um den Abbau der AlN-Schicht zu verhindern und die Integrität der Saphirbasis zu erhalten.

F3: Kann das Substrat zusätzlich nachbearbeitet werden?
A3: Ja, das Substrat kann nach der Abscheidung für spezifische Geräteintegrationen angepasst werden, z. B. durch Ausdünnen, Polieren oder Strukturieren. Diese Modifikationen werden unter strengen Reinraumprotokollen durchgeführt, um die inhärenten Eigenschaften des Materials zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Keramiksubstrate aus Aluminiumnitrid (AlN) werden häufig in Anwendungen eingesetzt, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung erfordern. Die undotierte Beschaffenheit des AlN-Films minimiert die Streuung von Verunreinigungen, was für ein konsistentes Materialverhalten unter Hochleistungs- und Hochfrequenzbedingungen entscheidend ist.

Die Integration von AlN auf Saphir (Al2O3) kombiniert die Wärmemanagementeigenschaften von Aluminiumnitrid mit der glatten, stabilen Oberfläche von Saphir. Diese Kombination unterstützt fortschrittliche Halbleiterprozesse, insbesondere in Bereichen, in denen eine geringe Defektdichte und eine hohe strukturelle Integrität für eine effiziente Geräteleistung erforderlich sind.