AL10294 Eisen-dotierte Saphirscheibe Fe: Al2O3 (0001) 10x10x0,5 mm

Eisen-dotierte Saphirscheibe Fe: Al2O3 (0001) 10x10x0,5 mm Beschreibung

Bei diesem Produkt handelt es sich um einen Saphir-Wafer, der aus Al2O3 besteht, das mit 0,05-0,1 Gew.-% Fe dotiert ist und eine (0001) kristallographische Orientierung aufweist. Der Wafer hat eine Größe von 10x10 mm und eine Dicke von 0,5 mm, was die Kompatibilität mit Standard-Halbleiter- und Kristallzuchtanlagen gewährleistet. Die definierte Zusammensetzung und Orientierung verringern die Defektdichte und begünstigen ein gleichmäßiges epitaktisches Wachstum und eine gleichmäßige Oberflächenbeschaffenheit. Durch die kontrollierte Eisendotierung werden die elektrischen und optischen Eigenschaften eingestellt, die für Hochpräzisionsanwendungen unerlässlich sind.

Eisen-dotierte Saphir-Wafer Fe: Al2O3 (0001) 10x10x0,5 mm Anwendungen

1.für Elektronik und Halbleiter
- Verwendung als Substrat bei der Epitaxieschichtabscheidung für Halbleiterbauelemente, um durch die einheitliche (0001)-Ausrichtung eine präzise Kristallausrichtung zu erreichen.

2.optoelektronische Instrumentierung
- Verwendung als optisches Fenster in photonischen Systemen zur Erzielung stabiler Übertragungseigenschaften durch Ausnutzung der kontrollierten Dotierung und der geringen Defektdichte.

3.industrielle Sensoren
- Wird als Basismaterial bei der Herstellung von Sensoren verwendet, um die Dimensionsstabilität unter variablen thermischen Bedingungen zu erhalten, indem seine robuste Kristallstruktur genutzt wird.

Eisen-dotierter Saphir-Wafer Fe: Al2O3 (0001) 10x10x0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist einzeln in einem antistatischen, gepolsterten Gehäuse verpackt und in einem feuchtigkeitsundurchlässigen Beutel versiegelt. Er wird bei Raumtemperatur in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert, um Verunreinigungen und physische Schäden zu vermeiden. Zusätzliche kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich Vakuumversiegelung und markierte Fächer, sind für einen besseren Schutz während des Transports und der Lagerung erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die kontrollierte Eisendotierung auf die Leistung des Wafers aus?
A1: Durch die kontrollierte Zugabe von 0,05-0,1 Gew.-% Fe werden die optischen und elektrischen Eigenschaften des Saphirwafers angepasst, wodurch eine gleichbleibende Auswirkung auf die Qualität der Epitaxieschichten und die Leistung der Bauelemente gewährleistet wird, während gleichzeitig eine niedrige Fehlerrate beibehalten wird.

Q2: Welche Maßnahmen werden ergriffen, um die kristallografische Ausrichtung des Wafers zu bestätigen?
A2: Der Wafer wird einer detaillierten Oberflächenanalyse unterzogen, einschließlich Elektronenmikroskopie und Röntgenbeugung, um seine (0001)-Orientierung zu überprüfen, die für die Gewährleistung der richtigen Ausrichtung in den nachfolgenden Verarbeitungsschritten entscheidend ist.

F3: Können die Abmessungen der Wafer an die spezifischen Anforderungen der Anlagen angepasst werden?
A3: Ja, die Waferabmessungen können individuell angepasst werden. Anpassungen in Größe und Dicke können auf der Grundlage detaillierter Verarbeitungsanforderungen vorgenommen werden, um die Kompatibilität mit verschiedenen Abscheidungs- und Ätzsystemen zu gewährleisten.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer, die aus Al2O3 bestehen, werden in fortschrittlichen Verarbeitungsumgebungen wegen ihrer hervorragenden thermischen Stabilität und chemischen Inertheit geschätzt. Durch die Beimischung von Eisen als Dotierstoff können die intrinsischen Eigenschaften subtil verändert werden, was eine maßgeschneiderte Leistung in elektronischen und optischen Geräten ermöglicht.

Das Verständnis der genauen Materialeigenschaften und Verarbeitungsbedingungen ist in Bereichen wie der Halbleiterherstellung und fortschrittlichen Sensoranwendungen von entscheidender Bedeutung. Diese Substrate dienen als wichtige Plattformen für die Entwicklung von Hochleistungsgeräten in Forschung und Industrie.