AL10293 Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 100 mm x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 100 mm x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 100 mm x0,5 mm wird aus hochreinem Al2O3 mit einer spezifizierten (11-20) kristallographischen Orientierung hergestellt. Der Durchmesser von 100 mm und die Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterbearbeitungsanlagen. Seine chemische Inertheit minimiert das Kontaminationsrisiko bei der Herstellung von Bauelementen. Die einkristalline Struktur des Materials mit minimalen Versetzungen ist ideal für Anwendungen, die eine hohe Oberflächenqualität und eine kontrollierte Ausrichtung erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 100 mm x0,5 mm Anwendungen

Elektronik und Halbleiterherstellung
- Wird als Substrat bei der Herstellung von LEDs und mikroelektronischen Bauteilen verwendet, um durch die hohe Wärmeleitfähigkeit eine kontrollierte Wärmeableitung zu erreichen.
- Verwendung als Basisschicht für das Epitaxiewachstum in Halbleiterbauelementen zur Verbesserung der Schichtgleichmäßigkeit durch Ausnutzung der geringen Gitterfehlanpassung.

Optoelektronik
- Dient als dielektrisches Substrat in optischen Komponenten zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit durch Ausnutzung seiner hohen Transparenz im sichtbaren Spektrum.
- Wird in Sensorplattformen eingesetzt, um eine stabile elektrische Isolierung zu erreichen, indem seine robuste chemische Inertheit ausgenutzt wird.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 100 mm x0,5 mm Verpackung

Der Wafer wird einzeln in statisch ableitfähigen, vakuumversiegelten Beuteln verpackt, um die Verunreinigung durch Partikel und mechanische Belastungen zu reduzieren. Jede Einheit wird in vibrationsdämpfenden Schaumstoffeinlagen gepolstert und in starren, temperaturkontrollierten Behältern gelagert. Diese Verpackungsmethode bewahrt die Produktintegrität gegenüber Umweltschwankungen. Kundenspezifische Beschriftungen und unterteilte Verpackungen sind möglich, um spezifische Labor- oder Industriestandards zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Faktoren beeinflussen die strukturelle Integrität des Saphirwafers während der Verarbeitung?
A1: Die Integrität des Wafers hängt von der genauen Kontrolle der Kristallwachstumsbedingungen und der Oberflächenbehandlung nach der Herstellung ab. REM- und Profilometrie-Analysen sind unerlässlich, um Mikrorisse und Dickenschwankungen zu erkennen, die die Leistung bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen beeinträchtigen können.

F2: Wie wirkt sich die (11-20)-Orientierung auf die Substratleistung bei Hochtemperaturprozessen aus?
A2: Die (11-20)-Ausrichtung weist definierte thermische Eigenschaften auf, die die Wärmeableitung unterstützen und die thermische Belastung während der Hochtemperaturverarbeitung verringern. Diese kontrollierte Ausrichtung unterstützt eine gleichmäßige Temperaturverteilung in kritischen Anwendungen.

F3: Kann der Wafer an spezifische Fertigungsabläufe angepasst werden?
A3: Zu den Anpassungsoptionen gehören Änderungen der Waferabmessungen, der Dicke und der optionalen Oberflächenpolitur. Diese Anpassungen können auf spezifische Anlagenanforderungen abgestimmt werden und gewährleisten die Kompatibilität mit verschiedenen Halbleiterverarbeitungsprotokollen.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Substrate, die aus Al2O3 bestehen, werden in der Materialwissenschaft wegen ihrer hohen chemischen Stabilität und außergewöhnlichen thermischen Eigenschaften geschätzt. Ihre einkristalline Struktur minimiert Defekte, was für die Erzielung einer überragenden Geräteleistung in Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen entscheidend ist. Die Forscher untersuchen diese Substrate weiterhin, um die Integration mit neuen Technologien zu verbessern.

Die kontrollierte kristallografische Ausrichtung und die gleichbleibende Oberflächenqualität von Saphir-Wafern sind von grundlegender Bedeutung, um ein reproduzierbares Materialverhalten bei hochpräzisen Herstellungsprozessen zu gewährleisten. Technische Charakterisierungen, einschließlich Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie, unterstützen die laufende Verbesserung dieser Substrate für fortschrittliche industrielle Anwendungen.