AL10292 Saphirplättchen Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Bei dem Produkt handelt es sich um einen Wafer aus Aluminiumoxid (Al2O3) mit A-Ebenen-Orientierung (11-20), der definierte kristallografische Eigenschaften aufweist. Der Durchmesser von 1 Zoll und die Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsanlagen. Dank der chemischen Inertheit und der hohen thermischen Stabilität von Al2O3 eignet sich der Wafer für Hochtemperaturanwendungen und optische Geräte. Die Messungen werden durch präzise Messtechniken bestätigt, um die Maß- und Strukturgenauigkeit zu gewährleisten.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Substrat in der Halbleiterverarbeitung, um ein stabiles Wärmemanagement durch hohe Wärmeleitfähigkeit zu erreichen.
- Verwendung als Träger für die Dünnschichtabscheidung bei der Sensorherstellung zur Erhaltung der Oberflächenintegrität durch Ausnutzung der geringen Defektdichte.

Industriell
- Wird als Fenster in Lasersystemen verwendet, um eine effiziente Lichtübertragung durch hervorragende optische Klarheit zu erreichen.
- Wird als Substrat in Mikrofertigungsgeräten verwendet, um durch eine kontrollierte Ausrichtung der A-Ebene die Maßhaltigkeit zu gewährleisten.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in gepolsterten, antistatischen Materialien verpackt und in einem mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter gesichert, um mechanische Stöße und Verunreinigungen zu vermeiden. Er wird bei kontrollierter Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert, um seine strukturellen Eigenschaften zu erhalten. Die Verpackung umfasst Maßnahmen zum Schutz vor Staub und ermöglicht eine kundenspezifische Beschriftung und Unterteilung in Fächer, um spezifische Lageranforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie werden die Maßtoleranzen für den Wafer überprüft?
A1: Die Abmessungen werden mittels optischer Interferometrie überprüft, um sicherzustellen, dass der Wafer die strengen Toleranzen für die Halbleiterverarbeitung und Forschungsanwendungen einhält.

F2: Welche Methoden werden zur Bewertung der Oberflächenqualität des Wafers verwendet?
A2: Die Oberflächenqualität wird mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie (AFM) bewertet, die die Gleichmäßigkeit der Oberfläche prüft und alle Oberflächendefekte identifiziert, die die Leistung der Bauteile beeinträchtigen könnten.

Q3: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Bearbeitung der Wafer beachtet werden?
A3: Es wird empfohlen, puderfreie Handschuhe und antistatische Werkzeuge zu verwenden und den Wafer in einer temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Umgebung zu lagern, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Wafer, die aus Al2O3 bestehen, werden häufig als Substrate in verschiedenen Forschungs- und Industrieanwendungen eingesetzt. Aufgrund ihrer optischen Transparenz, thermischen Stabilität und chemischen Inertheit sind sie für Hochtemperatur- und optische Systeme geeignet. Diese Eigenschaften sind entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung von Geräten in Halbleiter- und Photonenanwendungen.

Die Untersuchung von Saphirsubstraten erstreckt sich auf die Bereiche Kristallwachstum und Defekttechnik. Die kontrollierte kristallografische Ausrichtung gewährleistet ein vorhersehbares Verhalten bei Temperaturschwankungen, was für fortschrittliche Materialanwendungen unerlässlich ist. Dieser breitere Kontext unterstreicht ihre Bedeutung sowohl für die experimentelle Forschung als auch für die industrielle Fertigung.