AL10291 Saphir-Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm

Saphir Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Der Wafer wird aus hochreinem Al2O3 (Korund) hergestellt und weist eine kristallografische Ausrichtung der A-Ebene (11-20) auf. Sein Durchmesser von 3 Zoll und seine Dicke von 0,5 mm sind für die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen optimiert. Die präzise Ausrichtung und die glatte Oberfläche verringern die Defektdichte und verbessern die Prozesssicherheit bei Fotolithografie und Ätzvorgängen. Diese Eigenschaften gewährleisten eine genaue Musterübertragung und Maßkontrolle bei der Herstellung moderner Bauelemente.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Wird als dielektrisches Substrat in RF-Schaltungen verwendet, um eine stabile Signalintegrität aufrechtzuerhalten, indem eine präzise Oberflächenebenheit und eine konsistente kristallografische Ausrichtung genutzt werden.

Halbleiterherstellung
- Wird als Trägersubstrat in Fotolithografiesystemen verwendet, um eine genaue Musterübertragung durch Ausnutzung der kontrollierten Dicke und minimalen Defektdichte zu erreichen.

Saphir Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einer antistatischen Hülle verpackt, die sich in einem starren, stoßdämpfenden Behälter befindet. Schaumstoffeinlagen minimieren mechanische Einwirkungen und Verunreinigungen. Die Verpackung unterstützt die Lagerung in einer kühlen, trockenen Umgebung, um die Oberflächenintegrität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich spezieller Beschriftung und Unterteilung in Fächer, sind erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Versandanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die Ausrichtung der (11-20) A-Ebene auf die Leistung des Wafers aus?
A1: Die (11-20)-Ausrichtung sorgt für einheitliche Oberflächeneigenschaften, die für die Verringerung der Prozessvariabilität bei Ätz- und Abscheidungsschritten während der Bauelementeherstellung unerlässlich sind.

F2: Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden während der Herstellung durchgeführt?
A2: Der Wafer wird einer standardisierten Polierung mit interferometrischen Prüfungen und Rasterelektronenmikroskopie unterzogen, um die Ebenheit der Oberfläche und die Defektdichte zu überwachen und die Einhaltung strenger Maßtoleranzen zu gewährleisten.

F3: Wie sollte der Wafer gelagert werden, damit er seine spezifischen Eigenschaften beibehält?
A3: Er sollte in einer Umgebung mit kontrollierter Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit in einer antistatischen, kontaminationsfreien Verpackung aufbewahrt werden, um die Integrität der Oberfläche und die kristallografische Qualität zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Substrate, die aus hochreinem Al2O3 bestehen, werden aufgrund ihrer definierten kristallographischen Ausrichtung und hohen Härte häufig in Halbleiter- und optischen Anwendungen eingesetzt. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Verarbeitungstemperaturen und mechanischen Belastungen standzuhalten, sind sie für die Herstellung fortschrittlicher Geräte von entscheidender Bedeutung.

Eingehende Untersuchungen von Saphirwafern geben Aufschluss über ihr Verhalten bei thermischer und mechanischer Belastung. Kontinuierliche Verbesserungen der Produktionsverfahren und Qualitätskontrolltechniken tragen zu einer verbesserten Leistung bei Hochpräzisionsanwendungen bei und bringen so die Materialwissenschaft und die Fertigungstechnologien voran.