AL10290 Saphir-Wafer Al2O3 R Ebene Durchm. 1 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Dia. 1 Zoll x 0,5 mm ist ein Aluminiumoxid (Al2O3)-Substrat mit einer definierten R-Ebenen-Orientierung und einem Durchmesser von 1 Zoll und einer Dicke von 0,5 mm. Die kontrollierte Kristallinität und die glatte Oberfläche des Substrats ermöglichen eine verbesserte epitaktische Schichtabscheidung in Halbleiterprozessen. Aufgrund seiner chemischen Inertheit und thermischen Stabilität eignet es sich für anspruchsvolle Umgebungen bei der Herstellung von Geräten und für präzise analytische Anwendungen.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Durchm. 1 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Wird als Epitaxiesubstrat bei der LED-Herstellung verwendet, um eine gleichmäßige Schichtabscheidung zu erreichen, indem die atomar glatte Oberfläche der R-Ebene genutzt wird.
- Anwendung als Isolator in Hochfrequenzschaltungen zur Verringerung parasitärer Effekte durch Ausnutzung der hohen Durchschlagsfestigkeit.

Optoelektronische und industrielle Anwendungen
- Dient als Trägermaterial für optische Geräte zur Verbesserung der Lichtübertragung durch Ausnutzung der geringen optischen Absorption.
- Wird häufig als Trägersubstrat für Sensoranordnungen verwendet, um die Leistungsstabilität durch seine thermische und chemische Inertheit zu erhalten.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Durchm. 1 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Saphir-Wafer werden in antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Trägern verpackt, um sie vor mechanischer Beschädigung und Verunreinigung zu schützen. Sie werden unter sauberen, trockenen und temperaturkontrollierten Bedingungen gelagert, um die Oberflächenqualität zu bewahren. Jede Einheit wird in partikelarmen Materialien versiegelt, wobei die Möglichkeit besteht, sie individuell zu beschriften und zu unterteilen. Dieser Verpackungsansatz minimiert das Risiko einer Oberflächenverschlechterung während der Handhabung und Lagerung.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie beeinflusst die Ausrichtung der R-Ebene die Leistung des Wafers bei Halbleiteranwendungen?
A1: Die Ausrichtung der R-Ebene sorgt für eine spezifische Oberflächenmorphologie, die die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschichten verbessert und die Ausbreitung von Defekten während der Schichtabscheidung minimiert, was die präzise Herstellung von Halbleiterbauteilen unterstützt.

F2: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Qualität dieser Saphir-Wafer zu erhalten?
A2: Es ist ratsam, diese Wafer in einer sauberen, trockenen und temperaturgeregelten Umgebung zu lagern. Der Schutz vor mechanischer Beanspruchung und Verunreinigung durch Partikel ist wichtig, um die Unversehrtheit der Oberfläche zu erhalten.

Q3: Können diese Saphir-Wafer für bestimmte Produktionsprozesse angepasst werden?
A3: Ja, Anpassungsoptionen wie unterschiedliche Durchmesser, Dicken oder Polierstandards sind nach Rücksprache möglich. Spezifische Anforderungen können berücksichtigt werden, um bestimmte Herstellungs- oder Forschungsanforderungen zu erfüllen.

Zusätzliche Informationen

Saphirsubstrate, die aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) bestehen, werden in der Materialwissenschaft wegen ihrer hervorragenden chemischen und thermischen Stabilität geschätzt. Ihre einzigartigen Kristallorientierungen tragen zu spezifischen Oberflächeneigenschaften bei, die für Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen entscheidend sind. Fortschrittliche Herstellungstechniken haben den Produktionsprozess verfeinert, um den sich entwickelnden Anforderungen der Industrie gerecht zu werden.

In Forschung und Produktion ist das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Kristallstruktur und Bauelementleistung unerlässlich. Saphirwafer dienen als einheitliche Plattform für die Erforschung von Materialinteraktionen in Hochtemperatur- und chemisch aggressiven Umgebungen und bilden eine wesentliche Grundlage für experimentelle und industrielle Fortschritte in der Elektronik und Photonik.