AL10288 Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Durchm. 3 Zoll x 0,5 mm 45° zur C-Achse

Sapphire Wafer Al2O3 R Plane 3" Dia x0.5 mm 45° off C-Achse Beschreibung

Der Sapphire Wafer Al2O3 R Plane wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer definierten Ausrichtung von 45° gegen den Uhrzeigersinn von der Projektion der C-Achse auf die R-Ebene hergestellt. Der Durchmesser von 3 Zoll und die Dicke von 0,5 mm entsprechen den Standardanforderungen für die Halbleiterverarbeitung. Diese Ausrichtung verbessert die Gleichmäßigkeit der Gitterstruktur und unterstützt die präzise Herstellung von Bauelementen bei gleichzeitiger Verringerung des Auftretens von Defekten während der Hochtemperaturverarbeitung.

Saphir-Wafer Al2O3 R Plane 3" Dia x0,5 mm 45° von der C-Achse Anwendungen

Elektronik und Halbleiter
- Wird als Substrat in integrierten Schaltungen verwendet, um durch die präzise Ausrichtung der R-Ebene kontrollierte Elektronenpfade zu erreichen.
- Wird als Basis für RF-Komponenten verwendet, um die dielektrische Stabilität durch die Verwendung der hochreinen Al2O3-Zusammensetzung zu verbessern.

Industrie- und Sensorsysteme
- Dient als Träger in Hochtemperatur-Sensormodulen zur Aufrechterhaltung der Dimensionsstabilität, indem die thermische Widerstandsfähigkeit von Al2O3 genutzt wird.
- Wird häufig in optoelektronischen Geräten verwendet, um die optische Klarheit zu verbessern, indem eine fehlerarme, glatte kristalline Oberfläche gewährleistet wird.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 3" Durchmesser x0,5 mm 45° zur C-Achse Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, der vor mechanischen Stößen und Verunreinigungen schützt. Er ist in einem staubfreien Beutel mit Polsterschichten versiegelt, um die Oberflächenintegrität zu bewahren. Die Lagerung erfordert eine temperaturkontrollierte Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit, um Oxidation zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich unterteilter Schalen und spezieller Etikettierung, sind erhältlich, um spezifischen Handhabungsprotokollen zu entsprechen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie beeinflusst die spezifische Ausrichtung der R-Ebene die Verarbeitung der Geräte?
A1: Der Versatz von 45° gegen den Uhrzeigersinn gegenüber der C-Achsen-Projektion sorgt für ein konsistentes kristallines Gitter, das die Lithografiepräzision und die Gleichmäßigkeit des Ätzens verbessert. Diese Ausrichtung verringert das Risiko von Anomalien bei der Bauteilintegration und trägt zur Aufrechterhaltung der Prozesskonsistenz bei.

F2: Welche Qualitätskontrollmethoden werden zur Bewertung der Materialreinheit und -struktur eingesetzt?
A2: Das Material wird einer hochauflösenden Röntgenbeugung und rasterelektronenmikroskopischen Analyse unterzogen. Diese Methoden bewerten die kristalline Ausrichtung und erkennen kleinere Defekte, um sicherzustellen, dass die strukturellen Eigenschaften des Wafers den strengen Prozessanforderungen entsprechen.

F3: Wie sollte der Wafer behandelt werden, um seine Oberflächenqualität zu erhalten?
A3: Die Handhabung sollte in einer Reinraumumgebung mit antistatischen Werkzeugen erfolgen. Der Wafer muss in seiner versiegelten Schutzverpackung bei kontrollierter Temperatur und geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden, um Oberflächenverunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3) wird aufgrund seiner hohen thermischen Stabilität, Härte und chemischen Inertheit häufig verwendet. Seine kristalline Struktur spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der physikalischen Eigenschaften, die für moderne Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen erforderlich sind.

Das Verständnis der Auswirkungen der kristallografischen Ausrichtung auf das Verhalten des Substrats ist für die Optimierung der Leistung von Bauelementen von entscheidender Bedeutung. Die Forschung in diesem Bereich untersucht kontinuierlich das Gleichgewicht zwischen der Minimierung von Defekten und der präzisen Ausrichtung, was sich direkt auf die Ausbeute und Funktionalität in Hightech-Produktionsumgebungen auswirkt.