AL10287 Saphir-Wafer Al2O3 R Ebene 100 mm Durchmesser x 0,525 mm

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 100 mm Durchmesser x 0,525 mm Beschreibung

Dieser Wafer aus Saphir (Al2O3) weist eine kristallografische Ausrichtung in der R-Ebene auf, die die Ausrichtung der Schichten bei der Epitaxieverarbeitung verbessert. Der Durchmesser von 100 mm und die Dicke von 0,525 mm entsprechen den Standardanforderungen für Halbleiterwerkzeuge. Seine chemische Inertheit und thermische Stabilität kommen Anwendungen bei der Kristallzüchtung und der Herstellung von Bauelementen zugute. Eine kontrollierte Oberflächenebenheit und eine minimale Defektdichte werden durch eine strenge Prozessüberwachung erreicht, was eine zuverlässige Integration in moderne Fertigungsabläufe unterstützt.

Saphir-Wafer Al2O3 R Plane 100 mm Durchmesser x 0,525 mm Anwendungen

Elektronik und Halbleiter
- Verwendung als Substrat für die Abscheidung von Epitaxieschichten in Halbleiterbauelementen, um eine kontrollierte kristallografische Ausrichtung durch Ausnutzung einheitlicher Oberflächeneigenschaften zu erreichen.
- Anwendung als Basisschicht bei der Herstellung von LEDs zur Verbesserung des Wärmemanagements durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit des Materials.

Industrielle Prozessausrüstung
- Einsatz als strukturelle Komponente in Sensorbaugruppen zur Erzielung einer genauen Messleistung durch Ausnutzung der chemischen Inertheit und thermischen Stabilität.
- Wird als Plattform für Hochtemperaturverarbeitungssysteme verwendet, um durch kontrollierte Materialeigenschaften eine gleichbleibende Leistung zu gewährleisten.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 100 mm Durchmesser x 0,525 mm Verpackung

Die Wafer sind einzeln in antistatischen, reinraumtauglichen Beuteln versiegelt und befinden sich in starren, mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern, um mechanische Stöße und Verunreinigungen zu vermeiden. Die Verpackung ist so konzipiert, dass Staub und Feuchtigkeit ausgeschlossen sind und eine kontrollierte, inerte Umgebung aufrechterhalten wird. Für die Lagerung und den Transport werden klimatisierte Bedingungen empfohlen. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich vakuumversiegelter Konfigurationen und spezieller Etikettierung, sind auf Kundenwunsch erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Ausrichtung der R-Ebene während der Herstellung beibehalten?
A1: Die R-Ebene wird durch präzise Schneid- und Ausrichtungsprotokolle erreicht. Die optische Inspektion während des Prozesses verifiziert die kristallografische Ausrichtung, um die Einhaltung der spezifizierten Toleranzen zu gewährleisten, die für die nachfolgenden Schritte der Schichtabscheidung entscheidend sind.

F2: Welche Messverfahren werden für die Qualitätsbewertung eingesetzt?
A2: Oberflächenebenheit, Dicke und Fehlerdichte werden mit Interferometrie, Rasterelektronenmikroskopie und Profilometrie bewertet. Diese Techniken liefern quantitatives Feedback, das für die Aufrechterhaltung der Prozesskonsistenz erforderlich ist.

F3: Ist die Dickentoleranz streng definiert, und was bedeutet sie?
A3: Ja, die Dicke von 0,525 mm wird innerhalb enger Toleranzgrenzen gehalten, um die Maßkompatibilität mit Halbleiterbearbeitungswerkzeugen zu gewährleisten. Diese strenge Kontrolle minimiert Abweichungen, die die Leistung der Bauteile während der Hochpräzisionsfertigung beeinträchtigen könnten.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Substrate, die aus kristallinem Al2O3 bestehen, werden aufgrund ihrer hervorragenden thermischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften in zahlreichen Industrie- und Forschungsanwendungen eingesetzt. Aufgrund ihrer mechanischen Festigkeit und ihres hohen Schmelzpunkts sind sie für Hochtemperaturprozesse geeignet. Die Orientierung in der R-Ebene trägt insbesondere zu verbesserten Oberflächeneigenschaften bei, die für Verfahren wie das Epitaxiewachstum und die Herstellung moderner Halbleiterbauelemente von wesentlicher Bedeutung sind.

Im breiteren Kontext der Materialwissenschaft umfasst die Verarbeitung von Saphirwafern strenge Qualitätskontrollmaßnahmen. Die detaillierte Charakterisierung mit Hilfe fortschrittlicher Mikroskopie und Interferometrie bildet die Grundlage für die Leistung komplexer Baugruppen. Forscher und Ingenieure profitieren von der Kenntnis dieser Parameter, um die Integration sowohl in experimentellen als auch in Produktionsumgebungen zu optimieren.