AL10284 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Durchm. 1 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Der Wafer wird aus Saphir (Al2O3) mit einer C-Ebenen-Ausrichtung (0001) hergestellt, gemessen bei einem Durchmesser von 1 Zoll und einer Dicke von 0,5 mm. Seine Struktur unterstützt eine geringe Defektdichte und eine gleichmäßige Oberflächenqualität, wodurch er sich für Halbleiter-, Optik- und Hochtemperaturanwendungen eignet. Die präzise kristallografische Ausrichtung verbessert die Materialkonsistenz, die für Prozesse wie das Epitaxiewachstum und die Herstellung von Hochfrequenzgeräten entscheidend ist.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als isolierendes Substrat in HF-Bauteilen, um die parasitäre Kapazität durch Ausnutzung der hohen Durchschlagsfestigkeit von Saphir zu verringern.
- Verwendung als Basis für die Abscheidung von Epitaxieschichten in der Halbleiterherstellung, um ein gleichmäßiges Schichtwachstum durch Ausnutzung der definierten kristallographischen Ausrichtung des Wafers zu erreichen.

Industrielle und optische Anwendungen
- Einsatz als Komponente in bildgebenden Systemen zur Erzielung einer hohen Lichtdurchlässigkeit durch Ausnutzung der optischen Klarheit und Gleichmäßigkeit des Materials.
- Verwendung als Trägersubstrat in LED- und Laserdiodenbaugruppen zur Verbesserung des Wärmemanagements durch Ausnutzung der hervorragenden Wärmeleitfähigkeit von Saphir.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 1 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist einzeln in einem antistatischen, gepolsterten Behälter gesichert, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Die Verpackung umfasst eine starre, mit Schaumstoff ausgekleidete und mit feuchtigkeitsbeständiger Folie versiegelte Transportbox. Die Empfehlungen für die Lagerung sehen eine temperaturgeregelte, trockene Umgebung mit antistatischen Vorkehrungen vor. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich Etikettierung und Unterteilung in Fächer, sind erhältlich, um spezifische Lager- und Transportanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die angegebene Waferdicke auf die Anwendung in Halbleiterprozessen aus?
A1: Die Dicke von 0,5 mm gewährleistet die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen und ermöglicht eine effektive Wärmeableitung und mechanische Unterstützung bei Hochtemperaturprozessen. Diese Dicke trägt auch zur Steifigkeit des Wafers und zur minimalen Verformung während der Verarbeitung bei.

F2: Welche Methoden werden zur Bewertung der Oberflächenqualität des Wafers verwendet?
A2: Die Oberflächenqualität wird in der Regel durch optische Inspektion und Messung der Oberflächenrauhigkeit bewertet. Mit diesen Methoden werden kleinere Unvollkommenheiten aufgespürt und sichergestellt, dass der Wafer die erforderlichen Spezifikationen für Anwendungen in der Hochpräzisionsfertigung erfüllt.

F3: Was sind die wichtigsten Vorsichtsmaßnahmen bei der Handhabung von Saphir-Wafern während der Bearbeitung?
A3: Zu den Vorsichtsmaßnahmen bei der Handhabung gehören die Verwendung von nicht-abrasiven Werkzeugen, die Einhaltung antistatischer Verfahren und die Lagerung des Wafers in einer kontrollierten, sauberen Umgebung. Diese Schritte minimieren das Risiko von Oberflächenschäden und Verunreinigungen während der Herstellung und des Transports.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer, die aus kristallinem Al2O3 bestehen, sind von grundlegender Bedeutung in Umgebungen, die eine hohe thermische Stabilität und chemische Beständigkeit erfordern. Ihre definierte kristallografische Ausrichtung minimiert Gitterfehlanpassungen während des epitaktischen Wachstums, was für die Leistung von Halbleiterbauelementen entscheidend ist. Fortschritte beim Polieren und bei der Substratvorbereitung erhöhen den Nutzen von Saphir sowohl in der elektronischen als auch in der optischen Industrie weiter.

Die Verwendung von Saphir in diesen Anwendungen ist auf seine Fähigkeit zurückzuführen, extremen Betriebsbedingungen, einschließlich hoher Temperaturen und korrosiver Umgebungen, standzuhalten. Dies macht Saphir zu einem wichtigen Material für die Forschung und Entwicklung in Bereichen wie der Optoelektronik und der Leistungselektronik, wo die Materialstabilität für die Leistung der Geräte entscheidend ist.