AL10281 Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Durchm. 3 Zoll x 0,43 mm

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Durchm. 3 Zoll x 0,43 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 (0001) Dia. 3 Zoll x 0,43 mm ist ein Substrat aus einkristallinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer (0001) Ausrichtung. Der Durchmesser von 3 Zoll und eine Dicke von 0,43 mm bieten eine standardisierte Größe für die Integration in Halbleiter- und optoelektronische Fertigungsprozesse. Der Wafer weist eine atomar glatte Oberfläche auf, die dazu beiträgt, die Ausbreitung von Defekten während der Abscheidung von Epitaxieschichten zu verringern. Seine chemische Inertheit und thermische Stabilität unterstützen den Einsatz in Umgebungen, die eine dauerhafte Betriebsleistung erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Durchm. 3 Zoll x 0,43 mm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung von LEDs, um eine gleichmäßige Epitaxieschicht zu erzielen, indem die atomar flache Oberfläche des Wafers genutzt wird.
- Verwendung als Pufferschicht in Halbleiterbauelementen zur Reduzierung der Defektdichte durch Ausnutzung der chemischen Inertheit.

2.optoelektronische Anwendungen
- Dient als Basis in Laserdiodenbaugruppen, um durch die kontrollierte (0001) Ausrichtung eine verbesserte optische Gleichmäßigkeit zu erreichen.
- Wird als Montageplattform in Hochfrequenzschaltungen verwendet, um Signalverluste durch seine hohe thermische Stabilität zu verringern.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Durchm. 3 Zoll x 0,43 mm Verpackung

Die Wafer werden in statisch ableitenden Haltern verpackt und in gepolsterten, kratzfesten Behältern gesichert, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Sie werden in temperaturkontrollierten Umgebungen mit Feuchtigkeitsbarrieren gelagert, um Verunreinigungen zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen mit zusätzlicher Beschriftung und Unterteilung in Fächer sind auf Anfrage erhältlich, um die Integrität des Substrats während des Transports und der Lagerung zu gewährleisten.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der thermische Behandlungsprozess auf den Wafer aus?
A1: Die thermische Behandlung wird unter kontrollierten Bedingungen durchgeführt, um die thermische Belastung zu minimieren. Die inhärente thermische Stabilität des Wafers sorgt für minimale strukturelle Veränderungen während der Standardglühschritte, so dass die Oberflächenmorphologie und die kristalline Qualität für die anschließende Herstellung der Bauelemente erhalten bleiben.

Q2: Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Reinigung der Wafer zu beachten?
A2: Es wird empfohlen, nicht-abrasive Reinigungstechniken in einer Reinraumumgebung anzuwenden. Vermeiden Sie mechanische Belastungen und Verunreinigungen, indem Sie hochreine Lösungsmittel und fusselfreie Materialien verwenden, um die Oberflächenintegrität des Substrats zu erhalten und die Einführung von Defekten zu verhindern.

F3: Können Waferabmessungen oder Oberflächenbehandlungen kundenspezifisch angepasst werden?
A3: Kundenspezifische Abmessungen und Oberflächenmodifikationen können berücksichtigt werden. Spezifische Anfragen, wie z. B. alternative Dicken oder Oberflächenbehandlungen nach dem Prozess, werden von Fall zu Fall geprüft, um den besonderen Integrationsanforderungen in industriellen Prozessen gerecht zu werden.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3) ist ein grundlegendes keramisches Material, das für seine Härte, seine chemische Beständigkeit und seinen hohen Schmelzpunkt bekannt ist, wodurch es sich für verschiedene Hochleistungsanwendungen eignet. Seine einkristalline Form, die allgemein als Saphir bekannt ist, ist von entscheidender Bedeutung in Bereichen, in denen es auf hervorragende optische und isolierende Eigenschaften ankommt.

Die Entwicklung und Verarbeitung von Saphir-Wafern erfordert eine strenge Qualitätskontrolle und fortschrittliche Abscheidungsmethoden. Diese Verfahren gewährleisten eine geringe Defektdichte und verbesserte Oberflächeneigenschaften, die für Anwendungen in Halbleiterbauelementen, der Optoelektronik und anderen Industriezweigen wichtig sind.