AL10280 Saphirplättchen Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,9 mm

Sapphire Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,9 mm Beschreibung

Die Sapphire Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,9 mm ist ein hochreines Aluminiumoxid-Substrat mit einer präzisen (0001)-Ebenenorientierung. Sein Durchmesser von 100 mm und seine Dicke von 0,9 mm entsprechen den Standardanforderungen für Halbleiterprozessanlagen. Der Wafer wird einer fortschrittlichen Oberflächenanalyse unterzogen, um eine geringe Rauheit und minimale Defekte zu gewährleisten und so seine Leistung bei Anwendungen zu verbessern, die eine hohe Ebenheit und Maßgenauigkeit erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,9 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Wird als Substrat bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet, um eine präzise Fotolithografie zu erreichen, indem seine minimalen Oberflächenfehler für eine verbesserte Musterauflösung genutzt werden.
- Wird als Basis für Hochfrequenzschaltungen verwendet, um die dielektrische Konsistenz durch die Nutzung der stabilen elektrischen Isolationseigenschaften zu gewährleisten.

Industrielle Anwendungen
- Dient als isolierende Komponente in der Leistungselektronik zur Aufrechterhaltung der thermischen Stabilität durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit und der minimalen Defektdichte.

Optoelektronik
- Wird als Trägerschicht in der LED-Herstellung verwendet, um eine gleichmäßige Lichtemission zu gewährleisten, indem seine optische Transparenz und strukturelle Integrität genutzt wird.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,9 mm Verpackung

Jeder Wafer ist einzeln in einem antistatischen Beutel in Reinraumqualität eingeschlossen und in gepolsterten, mit Schaumstoff ausgekleideten Trägern gesichert. Die Verpackung sorgt für eine inerte Umgebung, um Oberflächenverunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Die Lagerungsrichtlinien empfehlen eine kontrollierte Temperatur- und Feuchtigkeitsumgebung. Kundenspezifische Beschriftungen und Änderungen an den Behältern sind möglich, um spezifische Lager- und Versandprotokolle zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die Oberflächenbeschaffenheit des Substrats auf die Prozessleistung aus?
A1: Die Oberflächenbeschaffenheit wirkt sich direkt auf die Ergebnisse der Fotolithografie und die anschließende Schichtabscheidung aus. Eine gleichmäßig glatte Oberfläche minimiert Streuungen und Unregelmäßigkeiten und verbessert so die Prozesskonsistenz bei der Herstellung von Bauelementen.

F2: Welche Umgebungsbedingungen sollten bei der Lagerung eingehalten werden?
A2: Der Wafer sollte in einer Umgebung mit kontrollierter Temperatur und geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Diese Bedingungen tragen dazu bei, die Oberflächenintegrität zu erhalten und Verunreinigungen zu vermeiden, was für Hochpräzisionsanwendungen entscheidend ist.

F3: Wie werden die Qualitätskontrollen für diesen Wafer durchgeführt?
A3: Die Qualitätskontrolle umfasst die quantitative Messung der Oberflächenrauheit mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie und die Defektinspektion mit Hilfe der Rasterelektronenmikroskopie. Diese Bewertungen gewährleisten die Einhaltung der strengen Fertigungsstandards und Prozessspezifikationen.

Zusätzliche Informationen

Saphir oder einkristallines Aluminiumoxid (Al2O3) ist weithin für seine Härte und hohe thermische Stabilität bekannt. Die kristalline Struktur des Materials bietet eine optimale Plattform für elektronische und optoelektronische Hochleistungsgeräte. Seine Verwendung in Substraten erfordert eine strenge Qualitätskontrolle, um die Ebenheit und Gleichmäßigkeit der Oberfläche während der Hochtemperaturverarbeitung zu gewährleisten.

Im breiteren Kontext der Materialwissenschaft stellen Saphirwafer eine entscheidende Komponente bei der Herstellung moderner Halbleiter- und Photonikgeräte dar. Ihre Fähigkeit, aggressiven Verarbeitungsumgebungen zu widerstehen und gleichzeitig stabile elektrische und optische Eigenschaften zu bieten, unterstreicht ihre Bedeutung sowohl in der Forschung als auch in der Großserienproduktion.