AL10279 Saphirplättchen Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm

Saphirplättchen Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm wird aus Al2O3 hergestellt und zeichnet sich durch eine präzise (11-20)-Ausrichtung aus, die eine verbesserte Prozesskontrolle in der Mikroelektronik und Photonik unterstützt. Der Durchmesser von 2 Zoll gewährleistet die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsanlagen, während die Dicke von 0,5 mm dazu beiträgt, den Verzug bei nachfolgenden Verarbeitungsschritten zu minimieren. Dieser Wafer wurde entwickelt, um Maßhaltigkeit und Oberflächenintegrität für hochempfindliche Anwendungen zu gewährleisten.

Saphir-Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Substrat in integrierten Schaltkreisen zur Erzielung einheitlicher dielektrischer Eigenschaften durch Ausnutzung der kontrollierten kristallographischen Ausrichtung.
- Anwendung in Leistungsgeräten zur Minimierung von parasitären Strömen durch verbesserte Wärmeleitfähigkeit und Oberflächenqualität.

Optische Geräte
- Wird häufig als Basis für LED- und Lasermodule verwendet, um optische Klarheit und thermische Stabilität zu gewährleisten, indem seine inhärente Transparenz genutzt wird.

Industrielle Instrumentierung
- Dient als Sensorplattform in Präzisionsmesssystemen zur Aufrechterhaltung der strukturellen Integrität bei Temperaturschwankungen, indem seine robusten mechanischen Eigenschaften genutzt werden.

Saphir Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem statisch-dissipativen Träger mit gepolsterten Schaumstoff- und Anti-Kontaminationsschichten verpackt. Er ist in einem Beutel mit kontrollierter Umgebung versiegelt und zum Schutz vor mechanischer Beanspruchung in einem starren Gestell positioniert. Die empfohlenen Lagerbedingungen umfassen eine saubere, trockene, temperaturkontrollierte Einrichtung, um die Integrität zu erhalten. Je nach den spezifischen Handhabungs- und Logistikanforderungen sind kundenspezifische Verpackungsoptionen erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie beeinflusst die kristallographische Orientierung (11-20) die Verarbeitungsergebnisse?
A1: Die (11-20)-Orientierung bietet eine einheitliche kristallografische Ebene, die gleichmäßige Ätzraten ermöglicht und die Versetzungsdichte minimiert. Dies trägt zu einer verbesserten Reproduzierbarkeit des Prozesses bei der Herstellung von Bauelementen bei, was für Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen unerlässlich ist.

F2: Welche Prüfverfahren werden zur Kontrolle der Waferqualität eingesetzt?
A2: Im Herstellungsprozess werden Interferometrie, Oberflächenprofilometrie und Rasterkraftmikroskopie eingesetzt, um die Ebenheit zu überwachen und Oberflächenunregelmäßigkeiten zu erkennen. Mit diesen Techniken wird sichergestellt, dass Dicke und Fehlerdichte während der gesamten Produktion innerhalb strenger Toleranzen bleiben.

F3: Kann dieser Wafer in Prozesse integriert werden, die hohe Temperaturen erfordern?
A3: Ja, Al2O3 weist eine ausgezeichnete thermische Stabilität auf. Die kontrollierte Dicke von 0,5 mm und die hochreine Zusammensetzung sorgen dafür, dass der Wafer seine mechanischen und optischen Eigenschaften auch unter erhöhten Temperaturbedingungen beibehält.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer aus Aluminiumoxid sind bekannt für ihre Härte, Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit. Diese Eigenschaften machen sie wertvoll für die Halbleiterherstellung und die Fertigung optischer Geräte. Ein detailliertes Verständnis der Eigenschaften von Saphirkristallen kann Ingenieuren helfen, die Leistung von Geräten zu optimieren und die Verarbeitungsparameter entsprechend anzupassen.

In der materialwissenschaftlichen Forschung liefert die Untersuchung der kristallografischen Orientierungen Einblicke in die anisotropen Eigenschaften, die für die Entwicklung von Substraten für fortschrittliche Anwendungen entscheidend sind. Die kontrollierte Mikrostruktur von Saphirwafern minimiert Defekte und unterstützt eine verbesserte Leistung in hochpräzisen Umgebungen.