AL10278 Saphir-Wafer Al2O3 R Ebene Durchm. 2 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Dia. 2 Zoll x 0,5 mm wird aus hochwertigem Aluminiumoxid hergestellt und weist eine definierte kristallografische Ausrichtung der R-Ebene auf. Der Durchmesser von 2 Zoll und die Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiter- und optischen Verarbeitungsgeräten. Dieser Wafer zeichnet sich durch eine glatte Oberfläche und eine kontrollierte Defektdichte aus, die dazu beitragen, die Streuung zu minimieren und die Leistung von Geräten zu verbessern, die eine hohe optische Klarheit und mechanische Robustheit erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Durchm. 2 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1:Elektronik und Halbleiterherstellung
- Verwendung als Substrat in integrierten Schaltungen zur Erzielung stabiler thermischer und elektrischer Eigenschaften durch Ausnutzung der chemischen Inertheit von Al2O3.
- Wird als Basis für die Dünnschichtabscheidung in optoelektronischen Geräten verwendet, um von seiner flachen Oberfläche und kontrollierten Defektdichte zu profitieren.

2.industrielle und Forschungsinstrumente
- Dient als Plattform für Hochtemperatursensoren in industriellen Überwachungssystemen, um durch seinen hohen Schmelzpunkt und seine chemische Stabilität eine gleichbleibende Leistung zu erzielen.
- Wird häufig in Forschungslabors für optische Experimente verwendet, um die Klarheit zu maximieren und die Lichtstreuung zu minimieren.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Die Wafer sind einzeln in statisch ableitenden Halterungen verpackt und in feuchtigkeitsbeständigen, kontaminationshemmenden Materialien versiegelt, um sie vor dem Eindringen von Partikeln und mechanischen Beschädigungen zu schützen. Zu den Empfehlungen für die Lagerung gehört eine trockene, temperaturkontrollierte Umgebung, um die Oberflächenqualität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, wie z. B. gepolsterte Einsätze und Etikettierung, sind erhältlich, um den spezifischen Handhabungsanforderungen für sensible Verarbeitungsumgebungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die Ausrichtung der R-Ebene auf die Leistung des Wafers bei Verarbeitungsanwendungen aus?
A1: Die Ausrichtung der R-Ebene bietet eine spezielle Oberflächenkristallographie, die die Ebenheit verbessert und die Defektdichte reduziert. Diese Ausrichtung unterstützt die hochpräzise Dünnschichtabscheidung und optische Anwendungen, indem sie eine einheitliche Oberfläche gewährleistet und Unregelmäßigkeiten beim Ätzen oder Polieren minimiert.

F2: Was ist bei der Lagerung dieser Wafer während des Versands zu beachten?
A2: Die Wafer sollten in einer kontrollierten Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und stabilen Umgebungstemperaturen gelagert werden. Schutzverpackungen wie statisch ableitende Beutel und mit Schaumstoff ausgekleidete Behälter sind unerlässlich, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen während des Transports und der Lagerung zu vermeiden.

F3: Kann die Dickentoleranz von 0,5 mm bei Großaufträgen konstant eingehalten werden?
A3: Ja, der Produktionsprozess beinhaltet eine präzise Dickenkontrolle und eine regelmäßige Kalibrierung mittels optischer Messtechnik und Profilometrie. Diese Methoden gewährleisten minimale Dickenschwankungen, was für die Aufrechterhaltung der Leistungskonstanz bei der Verarbeitung von Halbleitern in großem Maßstab entscheidend ist.

Zusätzliche Informationen

Saphir oder Aluminiumoxid wird wegen seines hohen Schmelzpunkts, seiner chemischen Inertheit und seiner mechanischen Festigkeit geschätzt. Diese Faktoren machen es zu einem wichtigen Material für Substrate in Hochtemperaturumgebungen und optischen Geräten. Die zur Herstellung dieser Wafer verwendeten Kristallzüchtungstechniken tragen auch zur Verringerung der inneren Spannungen bei, was ihre Stabilität in fortschrittlichen elektronischen und photonischen Anwendungen erhöht.

Das Verständnis der Materialeigenschaften und Herstellungsverfahren von Saphirscheiben ist für Ingenieure und Forscher von entscheidender Bedeutung. Die Beziehung zwischen der kristallografischen Ausrichtung und den Oberflächenmerkmalen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der Leistung der Wafer in verschiedenen Anwendungen, die von der Halbleiterherstellung bis zur Entwicklung optischer Sensoren reichen.