AL10277 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Durchm. 2 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid mit einer definierten (0001) Oberflächenorientierung hergestellt, die eine einheitliche und kontrollierte Struktur gewährleistet. Der Durchmesser von 2 Zoll mit einer Dicke von 0,5 mm unterstützt die Kompatibilität mit herkömmlichen Halbleiterverarbeitungsanlagen. Aufgrund der chemischen Inertheit und mechanischen Stabilität von Al2O3 eignet sich dieser Wafer für präzise Anwendungen, die eine geringe Defektdichte und eine gleichmäßige Leistung erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Substrat in Hochfrequenzschaltungen zur Verringerung von Signalverlusten durch Ausnutzung der kontrollierten kristallographischen Gleichmäßigkeit des Wafers.
- Anwendung in Sensoranordnungen zur Gewährleistung einer konsistenten elektrischen Isolierung durch Ausnutzung der chemischen Inertheit von Al2O3.

2.industriell
- Einsatz in LED-Baugruppen zum Wärmemanagement durch Ausnutzung der dem Material innewohnenden Wärmeleitfähigkeit.
- Wird in optischen Instrumenten als stabile Basisschicht verwendet, um die Lichtstreuung durch die gleichmäßige Oberflächenbeschaffenheit zu minimieren.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 2 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen Behälter mit Schaumstoffpolsterung gesichert, um mechanische Stöße während des Transports abzumildern. Er wird in einer versiegelten, staubdichten Hülle eingeschlossen und bis zur Weiterverarbeitung unter temperaturkontrollierten Bedingungen mit geringer Luftfeuchtigkeit aufbewahrt. Weitere Optionen sind die Vakuumversiegelung und kundenspezifisch unterteilte Einsätze, um das Kontaminationsrisiko weiter zu verringern und die sichere Handhabung während der Lagerung und des Transports zu erleichtern.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die kristallografische Präzision des Wafers validiert?
A1: Zur Überprüfung der (0001)-Orientierung und -Gleichmäßigkeit werden hochauflösende Röntgenbeugungs- und Oberflächenabbildungsmethoden eingesetzt. Diese Methoden gewährleisten, dass der Wafer die strengen Verarbeitungsspezifikationen für Halbleiteranwendungen erfüllt.

Q2: Welche Lagerbedingungen werden für diesen Wafer empfohlen?
A2: Der Wafer sollte in einer temperaturstabilen, feuchtigkeitsarmen Umgebung mit antistatischer Verpackung gelagert werden. Dies minimiert das Kontaminationsrisiko und trägt zur Erhaltung der strukturellen und chemischen Integrität des Materials bei.

F3: Ist der Wafer mit Standard-Halbleiterverarbeitungswerkzeugen kompatibel?
A3: Mit einem Durchmesser von 2 Zoll und einer Dicke von 0,5 mm ist der Wafer in der Regel mit herkömmlichen Halbleiterverarbeitungsgeräten kompatibel. Ingenieuren wird empfohlen, die Gerätetoleranzen zu überprüfen, um eine ordnungsgemäße Integration sicherzustellen.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Substrate, die aus Al2O3 bestehen, werden aufgrund ihrer chemischen Inertheit und ihrer thermischen Eigenschaften in großem Umfang für Halbleiter- und optische Anwendungen eingesetzt. Die definierte (0001)-Orientierung unterstützt die Leistung von Bauelementen, indem sie eine einheitliche Oberfläche bietet, die für die Minimierung von Defekten während der nachfolgenden Verarbeitungsschritte entscheidend ist.

Durch Fortschritte bei der Materialcharakterisierung und den Verarbeitungstechniken wird die Qualität von Saphirwafern weiter verbessert. Die Forschungsanstrengungen konzentrieren sich auf die Verbesserung der Oberflächenbeschaffenheit und die Verringerung der Defektdichte, um die Integration in die Präzisionselektronik und Sensortechnologien zu ermöglichen und damit Entwicklungen in verschiedenen Industriezweigen zu unterstützen.