AL10276 Saphirplättchen Al2O3 (0001) Durchm. 4 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Durchm. 4 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Dia. 4 Zoll x 0,5 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer genau eingehaltenen (0001) Ausrichtung hergestellt. Der Durchmesser von 4 Zoll gewährleistet die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen, während die Dicke von 0,5 mm zu einer gleichmäßigen mechanischen und thermischen Leistung beiträgt. Aufgrund seiner chemischen Inertheit und Härte eignet sich das Material für Anwendungen, die eine hohe Stabilität und minimale Oberflächenfehler erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Durchm. 4 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Substrat in RF-Schaltungen zur Minimierung von Signalverlusten durch Ausnutzung der dielektrischen Eigenschaften des Materials.

2)Halbleiterherstellung
- Dient als Trägerwafer für die Verarbeitung integrierter Schaltkreise, um durch seine kontrollierte Dicke und geringe Defektdichte die Maßhaltigkeit zu gewährleisten.

3.optoelektronische Geräte
- Wird als Basis für die Herstellung von LEDs und Lasern verwendet, um das Wärmemanagement durch seine hohe Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit zu unterstützen.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) Dia. 4 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer wird einzeln in einem antistatischen Behälter mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um Kratzer zu vermeiden. Anschließend wird er in einem stickstoffgespülten Beutel versiegelt, um Feuchtigkeit und Partikelkontamination zu begrenzen. Es wird empfohlen, ihn in einer temperaturgeregelten, staubfreien Umgebung zu lagern. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich zusätzlicher Schutzschichten und Beschriftungen, sind je nach den spezifischen Handhabungsanforderungen erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Bedeutung hat die (0001)-Ausrichtung in diesem Saphir-Wafer?
A1: Die (0001)-Orientierung bietet eine atomar glatte Basalebene, die das Wachstum der Epitaxieschichten verbessert und die Versetzungsdichte minimiert, was für hochpräzise Halbleiter- und optische Anwendungen entscheidend ist.

F2: Welche Vorteile bietet die gleichmäßige Dicke von 0,5 mm für die Waferverarbeitung?
A2: Eine einheitliche Dicke von 0,5 mm gewährleistet die Kompatibilität mit Standardbearbeitungswerkzeugen, minimiert die mechanische Belastung bei Hochtemperaturvorgängen und trägt zu einer gleichmäßigen Wärmeverteilung auf dem Wafer bei.

Q3: Welche Lagerungsmethoden werden für diesen Wafer empfohlen?
A3: Er sollte in einer sauberen, temperaturkontrollierten, antistatischen Umgebung gelagert werden. Die Verwendung von stickstoffgespülten, versiegelten Verpackungen und kontrollierten Feuchtigkeitsbedingungen trägt dazu bei, Verunreinigungen zu vermeiden und die strukturelle Integrität des Substrats zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Saphir oder kristallines Aluminiumoxid (Al2O3) wird in der Materialwissenschaft aufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit, mechanischen Härte und chemischen Inertheit geschätzt. Diese Eigenschaften sind entscheidend für Anwendungen, bei denen Substrate hohen Temperaturen und aggressiven Verarbeitungsumgebungen standhalten müssen. Die (0001)-Orientierung erleichtert eine einheitliche Kristallstruktur, die für Verfahren wie das Epitaxiewachstum unerlässlich ist.

Fortschritte bei den Synthesetechniken, einschließlich der chemischen Gasphasenabscheidung und präziser Methoden zur Oberflächencharakterisierung wie REM und XRD, haben die Herstellung von Saphirwafern mit minimaler Defektdichte ermöglicht. Diese Entwicklungen ermöglichen die Integration von Saphirsubstraten in Halbleiterbauelemente, optoelektronische Systeme und Hochtemperaturanwendungen, bei denen die Materialkonsistenz entscheidend ist.