AL10273 Saphirplättchen Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,65 mm

Saphirplättchen Al2O3 (0001) 100 mm Ø x 0,65 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,65 mm besteht aus hochreinem Aluminiumoxid mit einer (0001)-Oberflächenausrichtung, die eine konsistente kristallographische Ausrichtung gewährleistet. Der Wafer mit einem Durchmesser von 100 mm und einer Dicke von 0,65 mm ist mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen kompatibel. Durch die kontrollierte Herstellung werden Defekte minimiert und die Maßgenauigkeit beibehalten, so dass sich das Substrat für Anwendungen in Geräten eignet, die chemische Inertheit und thermische Stabilität erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,65 mm Anwendungen

Elektronische Anwendungen
- Wird als Substrat in Halbleiterbauelementen verwendet, um eine effiziente Wärmeableitung durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit des Wafers zu erreichen.
- Anwendung als Isolierschicht in RF-Schaltungen zur Kontrolle von Signalverzerrungen durch Ausnutzung der dielektrischen Eigenschaften.

Industrielle Anwendungen
- Einsatz als Komponente in Sensorbaugruppen zur Erzielung von Dimensionsstabilität durch Ausnutzung der präzisen (0001) Ausrichtung.
- Einsatz in Hochtemperaturverarbeitungsanlagen zur Aufrechterhaltung der strukturellen Integrität durch Ausnutzung der chemischen Inertheit von Al2O3.

Saphir-Wafer Al2O3 (0001) 100 mm Durchmesser x 0,65 mm Verpackung

Die Wafer werden einzeln in statikfreien, kontaminationsgeschützten Beuteln versiegelt und in schaumstoffgefütterten Trägern in starren Behältern gepolstert. Um einen chemischen Abbau zu verhindern, sind Feuchtigkeitsbarrierematerialien eingearbeitet. Die Verpackung ist für den kontrollierten Transport und die Lagerung in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und geregelter Temperatur ausgelegt. Kundenspezifische Verpackungslösungen, einschließlich Unterteilung in Fächer und spezifische Etikettierungsanforderungen, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die (0001)-Ausrichtung bei diesen Wafern überprüft?
A1: Die Ausrichtung wird durch eine Röntgenbeugungsanalyse bestätigt, die die kristallografische Struktur genau abbildet. Dieses Verfahren stellt sicher, dass der Wafer die strengen Ausrichtungskriterien erfüllt, die für moderne Substratanwendungen erforderlich sind.

F2: Was ist bei der Handhabung und Lagerung zu beachten?
A2: Wafer sollten unter Reinraumbedingungen gehandhabt und in einer temperaturgeregelten Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Antistatische Maßnahmen und eine Schutzverpackung sind unerlässlich, um Oberflächenverunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden.

F3: Kann dieser Wafer in Anwendungen mit hoher thermischer Belastung verwendet werden?
A3: Ja, dank der chemischen Inertheit und der effizienten Wärmeleitfähigkeit von Al2O3 kann dieser Wafer unter hohen thermischen Belastungen eingesetzt werden. Die kontrollierte Herstellung minimiert die Defektdichte und gewährleistet die Stabilität bei hohen Temperaturen.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer sind aufgrund ihrer hervorragenden physikalischen Eigenschaften und chemischen Stabilität ein wichtiges Substratmaterial in der Halbleiterforschung und -produktion. Die inhärente Härte und Wärmeleitfähigkeit von Al2O3 erleichtern die präzise Herstellung von Bauelementen und die Hochtemperaturverarbeitung in verschiedenen Branchen. Detaillierte Materialcharakterisierungsmethoden wie XRD und Elektronenmikroskopie tragen dazu bei, die kristalline Struktur des Wafers und seine Leistungsgrenzen zu verstehen.

Weitergehende Entwicklungen in der Substrattechnologie haben die Verfahren zur Bearbeitung von Wafern verbessert und sowohl die Oberflächenqualität als auch die Maßhaltigkeit erhöht. Fortschritte bei den Abscheide- und Polierverfahren sind entscheidend für die gleichmäßige Produktion von Saphir-Wafern und unterstützen wichtige Forschungsinitiativen und industrielle Anwendungen in Bereichen wie Elektronik und Optoelektronik.