AL10272 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Durchm. 3 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Dieser Wafer besteht aus einkristallinem Al2O3, das für seinen hohen Schmelzpunkt und seine chemische Stabilität bekannt ist. Die Ausrichtung in der C-Ebene (0001) gewährleistet eine glatte, einheitliche Oberfläche, die für die gleichmäßige Abscheidung von Dünnschichten und die Herstellung von Bauelementen unerlässlich ist. Der Durchmesser von 3 Zoll und die Dicke von 0,5 mm werden mit engen Toleranzen eingehalten, so dass sie für Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen geeignet sind. Die Materialeigenschaften unterstützen Anwendungen, die eine hohe Durchschlagsfestigkeit und Temperaturwechselbeständigkeit erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1:Elektronik und Halbleiterherstellung
- Verwendung als Substrat in integrierten Schaltkreisen zur Erzielung eines gleichmäßigen Schichtwachstums durch Ausnutzung der gleichmäßigen kristallographischen Ausrichtung.
- Verwendung als Plattform für Epitaxieschichten bei der Herstellung von LEDs zur Verbesserung der Geräteleistung durch kontrollierte Oberflächeneigenschaften.

2.optoelektronische Anwendungen und Sensoren
- Dient als Basis für optische Sensoren zur Verbesserung der Signalgleichmäßigkeit durch Ausnutzung der geringen Oberflächenrauhigkeit.
- Einsatz in photonischen Geräten zur Erleichterung einer gleichmäßigen Lichtübertragung durch Ausnutzung der hohen Transparenz und chemischen Stabilität des Materials.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 3 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist einzeln in einer antistatischen Verpackung in Reinraumqualität verpackt, um die Verunreinigung durch Partikel und mechanische Beschädigungen zu minimieren. Er ist in einem Acrylträger eingeschlossen und mit Schaumstoffeinlagen gepolstert. Die Verpackung ist in einem inerten, feuchtigkeitsbeständigen Umschlag versiegelt, um die Oberflächenintegrität während des Transports und der Lagerung zu erhalten. Handhabungsrichtlinien unterstützen die Aufrechterhaltung des makellosen Zustands des Wafers, und für spezifische Handhabungsprotokolle sind Anpassungsoptionen verfügbar.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen werden ergriffen, um die kristallografische Gleichmäßigkeit des Wafers zu kontrollieren?
A1: Der Herstellungsprozess umfasst kontrolliertes Hochtemperaturglühen und Inline-Rasterkraftmikroskopie-Inspektionen, um die Gleichmäßigkeit der Oberfläche zu bewerten und etwaige Abweichungen in der (0001)-Orientierung zu erkennen.

Q2: Welchen Einfluss hat die Dickentoleranz des Wafers auf die Herstellung der Bauelemente?
A2: Eine einheitliche Dicke von 0,5 mm gewährleistet die Kompatibilität mit Standardgeräten und eine präzise Ausrichtung während der Fotolithografie, wodurch Prozessschwankungen reduziert und die Leistung der Bauelemente verbessert werden.

Q3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Eigenschaften des Wafers zu erhalten?
A3: Der Wafer sollte in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und geregelter Temperatur in einer antistatischen Verpackung gelagert werden, um Oberflächenverunreinigungen und strukturelle Spannungen zu vermeiden, die seine Leistung beeinträchtigen könnten.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3)-Wafer sind aufgrund ihrer hervorragenden thermischen Stabilität und chemischen Inertheit wichtige Substrate in verschiedenen Hochtemperatur- und Korrosionsumgebungen. Die kontrollierte Orientierung der C-Ebene ist entscheidend für Anwendungen, die eine einheitliche Oberflächenenergie erfordern, die die Filmhaftung und das epitaktische Wachstum beeinflusst.

Das Verständnis der Bedeutung der kristallografischen Ausrichtung von Saphirsubstraten kann Forschern bei der Optimierung von Abscheidungstechniken und der Verfeinerung von Bauelementen helfen. Solche Erkenntnisse sind wertvoll für die Entwicklung fortschrittlicher Halbleiter- und optoelektronischer Systeme, bei denen sich die Materialeigenschaften direkt auf die Betriebseffizienz auswirken.