AL10271 Saphir-Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 0.25 inch x 0.25 inch x 0.5 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) hergestellt, das mit präziser Kontrolle über die Ausrichtung der A plane produziert wird. Seine Abmessungen gewährleisten die Kompatibilität mit Standardbearbeitungsgeräten, die bei der Herstellung von Halbleitern und optischen Geräten verwendet werden. Die Orientierung der kristallographischen A-Ebene (11-20) ist entscheidend für Anwendungen, die kontrollierte Oberflächeneigenschaften und Maßhaltigkeit erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1:Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat in Dünnschichtabscheidungssystemen zur Erzielung eines gleichmäßigen Schichtwachstums durch Ausnutzung seiner gut definierten kristallinen Oberfläche.
- Wird als Basis für mikroelektronische Komponenten verwendet, um die Dimensionsstabilität während der Hochtemperaturverarbeitung zu erhalten.

2.optoelektronische und Sensor-Fertigung
- Dient als Plattform für die Herstellung von LEDs zur Verbesserung der Lichtausbeute durch die Nutzung der glatten, kristallinen Oberfläche.
- Wird in Sensoranwendungen verwendet, um eine chemisch inerte Barriere zu bilden, die die Signalintegrität unter verschiedenen Umgebungsbedingungen bewahrt.

Saphir-Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem sauberen, antistatischen Behälter verpackt, der mit Schaumstoff ausgekleidet ist, um mechanische Stöße abzufedern. Er ist in einzelnen Fächern gesichert, um eine Kreuzkontamination zu verhindern. Zur Lagerung wird eine trockene, temperaturstabile Umgebung mit minimaler Belastung durch Partikel empfohlen. Kundenspezifische Verpackungsoptionen mit zusätzlicher Polsterung und Beschriftung sind erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Lagerungsprotokolle zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die kristallografische Ausrichtung dieser Wafer überprüft?
A1: Die Qualitätskontrolle erfolgt durch Rasterelektronenmikroskopie und Röntgenbeugung. Diese Methoden bestätigen die Ausrichtung in der A-Ebene (11-20) und stellen sicher, dass keine signifikanten Oberflächendefekte vorhanden sind und die Maßhaltigkeit gewährleistet ist.

F2: Welche kritischen Handhabungsbedingungen sind für diese Substrate erforderlich?
A2: Die Wafer müssen in einer Reinraumumgebung mit antistatischen Vorkehrungen gehandhabt werden. Sie sollten in trockenen, temperaturgeregelten Räumen gelagert werden, um Oberflächenverunreinigungen und mechanische Belastungen zu vermeiden.

F3: Können diese Wafer in Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen integriert werden?
A3: Ja, die Abmessungen und die Materialbeschaffenheit dieser Wafer gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterfertigungsanlagen und ermöglichen die Integration in etablierte Prozessabläufe ohne wesentliche Änderungen.

Zusätzliche Informationen

Saphir oder kristallines Al2O3 ist aufgrund seiner chemischen Stabilität und seiner hervorragenden mechanischen Eigenschaften ein wichtiges Material für moderne elektronische und optische Anwendungen. Aufgrund seiner Wärmeleitfähigkeit und seiner elektrischen Isolationseigenschaften ist es für Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen geeignet. Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen kristallografischer Orientierung und Materialeigenschaften ist entscheidend für die Optimierung der Leistung von Geräten in Forschung und Industrie.
Studien in der Materialwissenschaft betonen die Bedeutung der Kontrolle der Kristallorientierung, die sich direkt auf die Oberflächeneigenschaften und die Verarbeitungsergebnisse in der Halbleiter- und Optoelektronikfertigung auswirkt.