AL10270 Saphirplättchen Al2O3 A Ebene (11-20) 10x5x0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x5x0,5 mm Beschreibung

Der Saphir-Wafer aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) hat einen A-Ebenen-Schliff (11-20) mit den Abmessungen 10 mm x 5 mm x 0,5 mm. Seine spezifische kristallografische Ausrichtung wurde entwickelt, um die Versetzungsdichte zu reduzieren und eine gleichmäßige epitaktische Schichtabscheidung zu unterstützen. Die kontrollierte Zusammensetzung und die sorgfältige Oberflächenbeschaffenheit ermöglichen eine genaue Integration in Halbleiterprozessabläufe und optoelektronische Experimente und gewährleisten eine gleichbleibende Leistung in Forschung und Produktion.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x5x0,5 mm Anwendungen

Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat in der Halbleiterherstellung zur Erzielung eines gleichmäßigen Epitaxiewachstums durch Ausnutzung der geringen Versetzungsdichte des Wafers.

Optoelektronische Systeme
- Einsatz als Montageplattform in Laser- und Sensorbaugruppen zur Verbesserung der optischen Stabilität durch Ausnutzung der kontrollierten Kristallorientierung.

Wissenschaftliche Forschung
- Verwendung als Referenzmaterial in kristallographischen Studien zur Erzielung präziser Messergebnisse durch Nutzung seiner reproduzierbaren Abmessungen und chemischen Reinheit.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x5x0,5 mm Verpackung

Der Saphir-Wafer ist in einem antistatischen, fusselarmen Beutel verpackt und zusätzlich durch einen mit Schaumstoff ausgekleideten, starren Behälter geschützt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen durch Partikel zu verhindern. Das Verpackungsdesign minimiert die Exposition gegenüber Feuchtigkeit und Umweltverschmutzungen während der Lagerung und des Transports. Es wird empfohlen, den Wafer in einer temperaturgeregelten Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit zu lagern. Weitere kundenspezifische Verpackungslösungen mit verbesserter Polsterung und Unterteilung sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Mit welchen Techniken wird die Gleichmäßigkeit der Waferoberfläche überprüft?
A1: Die Gleichmäßigkeit der Oberfläche wird mit Hilfe der Interferometrie und der Rasterelektronenmikroskopie bewertet, die detaillierte Einblicke in die Oberflächenmorphologie und die Defektverteilung liefern, die für die epitaktische Abscheidung entscheidend sind.

F2: Wie wird die Ausrichtung der A-Ebene (11-20) während der Herstellung beibehalten?
A2: Die Ausrichtung wird durch präzise Schneide- und Ausrichtungsverfahren kontrolliert, die durch Röntgenbeugungsanalysen überprüft werden, um eine konsistente kristallografische Ebene zu gewährleisten, die für hohe Leistungen geeignet ist.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Integrität des Wafers zu gewährleisten?
A3: Der Wafer sollte in einer temperaturgeregelten, feuchtigkeitsarmen Umgebung mit angemessenem antistatischem Schutz gelagert werden, um Verunreinigungen zu vermeiden und jegliche physikalische oder chemische Zersetzung zu verhindern.

Zusätzliche Informationen

Saphir oder Aluminiumoxid (Al2O3) ist bekannt für seine hervorragende thermische Stabilität und chemische Inertheit. Diese Eigenschaften machen es zu einem wichtigen Material für Substrate, die für Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen eingesetzt werden. Seine kristalline Struktur ermöglicht eine minimale Gitterfehlanpassung während des Epitaxiewachstums, was für die Entwicklung von Hochleistungsbauelementen unerlässlich ist.

Fortschritte in der Materialverarbeitung haben zu einer verbesserten Kontrolle über die kristallografische Ausrichtung und die Oberflächenbeschaffenheit geführt. Das Verständnis dieser Eigenschaften bietet wertvolle Einblicke in das Verhalten des Substrats unter verschiedenen Verarbeitungsbedingungen, wodurch die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit der Bauelemente in komplexen industriellen Anwendungen verbessert wird.