AL10269 Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 0,5 inch x 0,5 inch x0,5 mm ist ein Aluminiumoxid-Substrat (Al2O3), das präzise entlang der Ausrichtung der A plane (11-20) geschnitten wurde. Die Abmessungen von 0,5 Zoll gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit machen es zu einer geeigneten Plattform für Hochtemperaturanwendungen. Die gut kontrollierte Kristallinität und die geringe Defektdichte sorgen für konsistente Oberflächeneigenschaften, die für die anschließende Herstellung von Bauelementen entscheidend sind.

Saphir Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1:Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat in Hochtemperatur-Halbleiterprozessen zur Erzielung minimaler Gitterdefekte durch Ausnutzung der chemischen Inertheit und thermischen Stabilität von Al2O3.
- Wird als Träger für das Epitaxiewachstum in fortschrittlichen Geräten verwendet, um eine einheitliche Oberflächenmorphologie und eine präzise Maßkontrolle zu gewährleisten.

2.industrielle Sensor- und Bauteilherstellung
- Wird als optisches oder strukturelles Bauteil in Sensorbaugruppen verwendet, um durch die hohe Härte und Wärmeleitfähigkeit des Wafers eine gleichbleibende Leistung zu erzielen.
- Häufige Verwendung in hochpräzisen Bearbeitungssystemen, wo ein stabiles und dauerhaftes Substrat die mechanische Belastbarkeit während der Bearbeitung erhöht.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem statikfreien, mit Schaumstoff ausgekleideten Gehäuse verpackt, das physische Stöße und Oberflächenverunreinigungen minimiert. Er wird in versiegelten antistatischen Beuteln verpackt und zum Schutz vor Umwelteinflüssen in feuchtigkeits- und temperaturregulierten Behältern gelagert. Zusätzliche kundenspezifische Anpassungen für Massensendungen, einschließlich unterteilter Verpackungen und klarer Beschriftung, sind möglich, um speziellen Handhabungs- und Lagerungsanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Mit welchen Prüfmethoden werden die kristallografische Ausrichtung und die Oberflächenbeschaffenheit des Wafers überprüft?
A1: SAM verwendet die Röntgenbeugung zur Bestätigung der (11-20)-Orientierung und die Rasterkraftmikroskopie zur Beurteilung der Oberflächenrauheit. Diese Verfahren stellen sicher, dass der Wafer die strengen kristallografischen und topografischen Standards erfüllt, die für eine fortschrittliche Verarbeitung erforderlich sind.

F2: Wie sollte der Wafer während der Integration in Halbleiterprozesse behandelt werden?
A2: Der Wafer sollte mit Reinraumhandschuhen und einer Präzisionspinzette angefasst werden. Er muss auf ESD-sicheren Trägern platziert werden, um mechanische Beschädigungen und statische Aufladungen zu vermeiden. Eine sorgfältige Ausrichtung während der Platzierung minimiert das Risiko von Verunreinigungen oder Oberflächenkratzern.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Integrität des Wafers zu erhalten?
A3: Der Wafer sollte in einer temperaturgeregelten, feuchtigkeitsarmen Umgebung gelagert werden, idealerweise in versiegelten antistatischen Behältern. Dadurch wird der Kontakt mit Verunreinigungen minimiert und eine feuchtigkeitsbedingte Zersetzung der Substratoberfläche verhindert.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3)-Substrate spielen eine wesentliche Rolle in verschiedenen Hochtemperatur- und Hochpräzisionsanwendungen. Die inhärente Härte, Wärmeleitfähigkeit und chemische Beständigkeit von Saphir machen es in Bereichen, in denen die Materialstabilität entscheidend ist, unverzichtbar. Detaillierte Oberflächenmessungen und kontrollierte Verarbeitungsumgebungen sind bei seiner Herstellung Standard, um eine minimale Fehlerdichte und gleichmäßige Kristallinität zu gewährleisten.

Das Verständnis der kristallografischen Eigenschaften von Saphirsubstraten ermöglicht eine optimale Integration in Halbleiterbauelemente und optische Komponenten. Fortschritte bei den Abscheide- und Poliertechniken in Verbindung mit strengen Qualitätskontrollmaßnahmen tragen dazu bei, dass diese Substrate in Industrie- und Forschungsumgebungen, in denen eine gleichbleibende Leistung gefordert wird, immer häufiger eingesetzt werden.