AL10268 Saphir-Wafer Al2O3 (10-14) 10x10x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 (10-14) 10x10x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 (10-14) 10x10x0,5 mm ist ein monokristallines Substrat, das aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) besteht. Seine definierte (10-14) Ausrichtung und seine präzisen Abmessungen gewährleisten die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsanlagen. Der Wafer bietet chemische Inertheit und thermische Stabilität, die für die Halbleiterherstellung und optische Anwendungen entscheidend sind. Seine minimale Defektdichte und kontrollierte Oberflächenbeschaffenheit erleichtern die effektive Integration in Forschungs- und Industriesysteme.

Saphir-Wafer Al2O3 (10-14) 10x10x0,5 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Wird als Substrat in Hochleistungs-LED-Baugruppen verwendet, um durch die kontrollierte Dicke und die einheitliche kristallografische Struktur eine bessere Wärmeableitung zu erreichen.

Optische Instrumentierung
- Wird als optisches Fenster in Laserbaugruppen verwendet, um durch die hohe Reinheit und gleichmäßige Kristallorientierung eine minimale Lichtstreuung zu erreichen.

Industrielle Sensoren
- Dient als dielektrisches Substrat in Sensormodulen zur Aufrechterhaltung der Betriebsstabilität, indem seine chemische Inertheit und präzisen Abmessungen genutzt werden.

Saphir-Wafer Al2O3 (10-14) 10x10x0,5 mm Verpackung

Jeder Wafer ist einzeln in einer antistatischen Schale in einer feuchtigkeitskontrollierten, reinraumzertifizierten Verpackungsbox gesichert. Schützende Schaumstoffeinlagen und eine Kunststoffdichtung minimieren mechanische Stöße und Partikelkontamination. Die Lagerungsrichtlinien empfehlen eine trockene, temperaturkontrollierte Umgebung. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich spezieller Fächer und Beschriftungen, sind erhältlich, um besonderen Handhabungs- und Versandanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen werden ergriffen, um die Gleichförmigkeit der Saphir-Wafer Al2O3 (10-14) 10x10x0,5 mm zu kontrollieren?
A1: SAM setzt hochauflösende SEM- und AFM-Analysen ein, um die Gleichmäßigkeit der Oberfläche und die kristallografische Ausrichtung zu überwachen und so sicherzustellen, dass jeder Wafer die genauen Kriterien für Abmessungen und Oberflächenbeschaffenheit einhält.

Q2: Welche Vorteile bietet die Größe von 10x10 mm für die Halbleiterverarbeitung?
A2: Die Größe von 10x10 mm passt zu Standard-Waferverarbeitungsanlagen und erleichtert die nahtlose Integration in bestehende Fertigungslinien, was die Produktionszyklen rationalisiert.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Eigenschaften des Wafers zu erhalten?
A3: Der Wafer sollte in einer kontrollierten, trockenen Umgebung mit einer stabilen Temperatur gelagert werden, um Verunreinigungen zu vermeiden und seine intrinsischen Materialeigenschaften zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Wafer, die aus hochreinem Al2O3 bestehen, bieten vorteilhafte Eigenschaften wie chemische Inertheit und Wärmeleitfähigkeit. Ihr einkristalliner Charakter ist entscheidend für Anwendungen, die eine präzise Gitterstruktur und eine minimale Defektdichte erfordern. Diese Eigenschaften machen sie zu geeigneten Substraten in Bereichen, in denen Stabilität unter hohen Temperaturen und korrosiven Bedingungen erforderlich ist.

Im breiteren Kontext der Herstellung elektronischer und optischer Geräte ist das Verständnis der Eigenschaften von Al2O3 von wesentlicher Bedeutung. Fortschritte bei den kontrollierten Abscheidetechniken und der Oberflächenmesstechnik haben die Gleichmäßigkeit des Materials erheblich verbessert, was die Gesamtleistung der Bauelemente erhöht und die Erforschung der nächsten Generation von Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen erleichtert.