AL10267 Saphir-Wafer Al2O3 R Ebene 0,5 Zoll x0,5 Zoll x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm ist ein hochreines Aluminiumoxid-Substrat mit einer spezifischen R-Ebenen-Ausrichtung. Seine kompakten Abmessungen erleichtern die Integration in Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen. Der Schnitt in der R-Ebene verbessert die Gleichmäßigkeit der Oberfläche, was für die Minimierung der Versetzungsausbreitung bei der Herstellung von Bauelementen entscheidend ist. Die chemische Inertheit und mechanische Härte des Materials bieten Vorteile in Umgebungen, die eine hohe thermische und chemische Stabilität erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 R plane 0,5 Zoll x0,5 Zoll x0,5 mm Anwendungen

Elektronik und Halbleiter
- Verwendung als Substrat in Dünnschichtabscheidungssystemen zur Erzielung eines gleichmäßigen Schichtwachstums durch Ausnutzung der präzisen Kristallorientierung.
- Wird als Basis für Hochtemperatursensorelemente verwendet, um einen stabilen Betrieb in rauen thermischen Umgebungen zu ermöglichen, indem die thermische Stabilität von Al2O3 genutzt wird.

Optoelektronik
- Dient als Plattform in der LED-Herstellung zur Verbesserung der Lichtausbeute durch Nutzung seiner hohen optischen Klarheit.
- Wird häufig für die Halterung von Laserdioden verwendet, um die strukturelle Integrität bei hohen Betriebsstromdichten durch seine überlegene Härte zu erhalten.

Sapphire Wafer Al2O3 R Ebene 0,5 Zoll x0,5 Zoll x0,5 mm Verpackung

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0,5 inch x0,5 inch x0,5 mm ist in einem antistatischen, gepolsterten Behälter verpackt, um mechanische Belastungen zu mindern und Verunreinigungen durch Partikel zu verhindern. Die Verwendung inerter, feuchtigkeitsbeständiger Materialien gewährleistet den Schutz während des Transports und der Lagerung. Die Verpackung ist so konzipiert, dass die Umwelteinflüsse kontrolliert werden, und kann je nach den spezifischen Handhabungsanforderungen eine kundenspezifische Beschriftung und Unterteilung in Fächer enthalten.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die Ausrichtung der R-Ebene auf die Leistung des Substrats aus?
A1: Die Ausrichtung der R-Ebene fördert eine einheitliche Anordnung der Atome, was eine gleichmäßige Schichtabscheidung erleichtert und die Ausbreitung von Defekten während der Herstellung der Bauelemente reduziert. Dies führt zu einer verbesserten Verarbeitungsausbeute und Bauelementleistung unter hochpräzisen Herstellungsbedingungen.

F2: Welche Maßnahmen werden zur Kontrolle des Verunreinigungsgrads im Wafer getroffen?
A2: Der Produktionsprozess umfasst strenge Umweltkontrollen und Oberflächenmesstechnik, wie z. B. REM-Inspektionen, zur Überwachung und Minimierung von Verunreinigungen. Dieses Protokoll stellt sicher, dass der Wafer den für moderne Halbleiteranwendungen erforderlichen hohen Reinheitsstandard beibehält.

F3: Kann dieser Wafer in Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen integriert werden?
A3: Ja, die kompakte Größe des Wafers und die einheitliche Oberfläche der R-Ebene sind mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen kompatibel. Diese Kompatibilität erleichtert die Integration in verschiedene mikroelektronische Fertigungsprozesse, ohne dass umfangreiche Änderungen an den Anlagen erforderlich sind.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid, bekannt als Al2O3, wird aufgrund seiner hervorragenden thermischen und chemischen Stabilität häufig als Substratmaterial verwendet. Aufgrund seines hohen Schmelzpunkts und seiner mechanischen Festigkeit eignet es sich für die Verarbeitung bei hohen Temperaturen und für Anwendungen, bei denen die Haltbarkeit des Materials von größter Bedeutung ist. Der Schnitt in der R-Ebene sorgt für eine genau definierte kristallografische Ausrichtung, die eine gleichmäßige Schichtabscheidung ermöglicht.

Im breiteren Kontext der Materialwissenschaft tragen Substrate wie Saphirwafer wesentlich zur Weiterentwicklung mikro- und optoelektronischer Geräte bei. Eine detaillierte Kontrolle der kristallografischen Eigenschaften und der Defektdichte ist entscheidend für die Gewährleistung der Leistung und Langlebigkeit von Hightech-Komponenten in einem wettbewerbsintensiven industriellen Umfeld.