AL10266 Saphirplättchen Al2O3 R Ebene 10x10x1,0 mm

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 10x10x1.0 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 10x10x1,0 mm ist ein hochreines, einkristallines Al2O3-Substrat mit einer gut definierten R-Ebenen-Ausrichtung. Die Abmessungen von 10x10x1,0 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen. Der Wafer weist eine gleichmäßige Oberflächenebenheit und eine geringe Defektdichte auf, was seine Leistung als Substrat bei der Herstellung verschiedener Bauelemente verbessert. Seine chemische Inertheit und thermische Stabilität sind entscheidend für fortschrittliche mikroelektronische Anwendungen.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 10x10x1,0 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Substrat bei der Halbleiterherstellung, um durch die hohe chemische Inertheit niedrige Fehlergrenzen zu erreichen.
- Anwendung als Isolierschicht in RF-Schaltungen zur Verbesserung der Signalintegrität durch Ausnutzung seiner gleichmäßigen dielektrischen Eigenschaften.

Industrielle Anwendungen
- Einsatz als Präzisionskomponente in Sensorbaugruppen zur Gewährleistung einer präzisen Signalübertragung unter Ausnutzung seiner gleichmäßigen kristallographischen Ausrichtung.
- Wird in der Verpackung von mikroelektronischen Geräten eingesetzt, um eine stabile Basis zu schaffen und mögliche thermische Fehlanpassungen während des Betriebs zu reduzieren.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 10x10x1,0 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen Behälter mit Schaumstoffpolsterung in einer versiegelten Schachtel verpackt, um mechanische Stöße und Partikelkontamination zu minimieren. Ein Feuchtigkeitsindikator ist enthalten, und die Verpackung ist so konzipiert, dass eine kontrollierte Umgebung aufrechterhalten wird. Die Verpackung unterstützt die sichere Handhabung während des Transports und der Lagerung unter temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Bedingungen. Es sind kundenspezifische Verpackungsoptionen erhältlich, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Bedeutung hat die Ausrichtung der R-Ebene in diesem Saphir-Wafer?
A1: Die Ausrichtung der R-Ebene führt zu einer Oberfläche mit reduzierten atomaren Stufen und verbesserter Ebenheit. Dies minimiert das Potenzial für Oberflächendefekte und optimiert die Grenzflächenbedingungen, die für die Halbleiterschichtung und die Herstellung von Bauelementen wichtig sind.

F2: Wie wird die Maßtoleranz auf dem 10x10x1,0-mm-Wafer eingehalten?
A2: Die Maßtoleranz wird durch Präzisionsschneide- und Poliertechniken in Kombination mit Inline-Messtechniken erreicht. Durch diese Maßnahmen wird sichergestellt, dass der Wafer die strengen Abmessungsanforderungen erfüllt, die für die Integration in Standardverarbeitungsanlagen erforderlich sind.

F3: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?
A3: Die Qualitätskontrolle umfasst kristallografische Analysen, mikroskopische Oberflächeninspektionen und Bewertungen der Dickengleichmäßigkeit. Mit diesen Kontrollen wird die Konsistenz des Wafers überprüft und die Minimierung von Defekten ermöglicht, um sicherzustellen, dass der Wafer die für fortschrittliche Anwendungen erforderlichen Standards erfüllt.

Zusätzliche Informationen

Substrate auf Aluminiumoxidbasis sind aufgrund ihrer außergewöhnlichen thermischen Stabilität und elektrischen Isolationseigenschaften von zentraler Bedeutung für die moderne Mikroelektronik. Saphirwafer werden in großem Umfang in Dünnschichtabscheidungsprozessen eingesetzt und dienen als entscheidende Grundlage für das Epitaxiewachstum in der Halbleiterherstellung. Ihre einzigartigen kristallographischen Eigenschaften tragen zu einer gleichmäßigen Leistung der Bauelemente bei.

Fortschritte in der Waferherstellung verbessern die Oberflächengüte und Maßgenauigkeit, die für Hochfrequenz- und optoelektronische Anwendungen unerlässlich sind. Die Integration präziser Schneidetechniken und automatisierter Qualitätskontrollsysteme spielt eine entscheidende Rolle bei der Verringerung von Defekten und der Verbesserung der Gesamtleistung von Wafern in komplexen Bauteilarchitekturen.