AL10265 Saphir-Wafer Al2O3 (11-02) 10x5x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 (11-02) 10x5x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 (11-02) 10x5x0,5 mm ist ein monokristallines Aluminiumoxid-Substrat mit den Abmessungen 10 mm x 5 mm x 0,5 mm und einer definierten (11-02) kristallographischen Orientierung. Die geringe Defektdichte und die kontrollierte chemische Zusammensetzung minimieren den Anteil an Verunreinigungen. Diese Eigenschaften unterstützen eine gleichmäßige Schichtabscheidung und verbessern die Leistungskonstanz bei der Halbleiterherstellung und der Montage optischer Geräte.

Saphir-Wafer Al2O3 (11-02) 10x5x0,5 mm Anwendungen

Elektronische Anwendungen
- Wird als isolierendes Substrat in integrierten Schaltungen verwendet, um dielektrische Verluste zu verringern, indem die kontrollierte Kristallorientierung und die thermische Stabilität genutzt werden, wodurch die Leistung der Schaltungen verbessert wird.

Optische Systeme
- Wird als transparentes Fenster in optischen Sensoren eingesetzt, um die Lichtstreuung zu begrenzen, indem die gleichmäßige Oberflächenbeschaffenheit genutzt wird, was zu einer verbesserten Bildklarheit während des Betriebs beiträgt.

Saphir-Wafer Al2O3 (11-02) 10x5x0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem statisch ableitenden, kratzfesten Schaumstoffhalter verpackt und in einem antistatischen Beutel versiegelt, um Verunreinigungen zu vermeiden. Er wird in einer kontrollierten Umgebung mit stabiler Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert. Zusätzliche Optionen für kundenspezifische Beschriftungen und Behältermodifikationen sind verfügbar, um spezifischen Laborhandhabungsprotokollen zu entsprechen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die (11-02)-Ausrichtung auf die Materialintegration bei der Herstellung von Geräten aus?
A1: Die (11-02)-Orientierung sorgt für eine einheitliche atomare Ausrichtung, die eine konsistente Schichtabscheidung in Halbleiterprozessen unterstützt und Abweichungen bei der Integration von Bauteilen reduziert.

F2: Welche Analysemethoden werden für die Bewertung der Oberflächenqualität von Wafern empfohlen?
A2: Die Rasterelektronenmikroskopie und die Rasterkraftmikroskopie werden üblicherweise zur Bewertung von Oberflächendefekten und -rauhigkeit eingesetzt. Mit diesen Methoden lässt sich überprüfen, ob der Wafer die strengen Fertigungstoleranzen einhält.

F3: Ist es möglich, die Abmessungen des Wafers anzupassen, ohne seine kristallografische Integrität zu beeinträchtigen?
A3: Kundenspezifische Abmessungen können unter Beibehaltung der kristallografischen Eigenschaften des Substrats angeboten werden. Durch die Abstimmung mit dem technischen Support kann sichergestellt werden, dass alle Änderungen mit den etablierten Verarbeitungsstandards übereinstimmen.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3)-Substrate werden in großem Umfang sowohl in der Hochtemperaturelektronik als auch in optischen Anwendungen eingesetzt. Die chemische Inertheit des Materials und seine Stabilität unter verschiedenen thermischen Bedingungen untermauern seine Verwendung in Umgebungen, in denen eine gleichbleibende Leistung entscheidend ist.

Das Verständnis der Beziehung zwischen kristallografischer Orientierung und chemischer Zusammensetzung spielt eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Substratleistung. Detaillierte Analysen und standardisierte Qualitätskontrollprotokolle tragen zu Fortschritten in der Halbleiterherstellung und Präzisionsoptik bei und erhöhen die allgemeine Zuverlässigkeit der hergestellten Geräte.