AL10264 Saphir-Wafer Al2O3 M Ebene 10x10x1,0 mm

Sapphire Wafer Al2O3 M plane 10x10x1.0 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 M plane 10x10x1,0 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer M-Ebenen-Orientierung hergestellt, die für Anwendungen optimiert ist, die präzise kristallografische Eigenschaften erfordern. Die Abmessungen des Wafers gewährleisten die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsgeräten, während die kontrollierte Dicke und Ebenheit die Leistung in optischen und Halbleiterumgebungen verbessern. Seine intrinsische Härte und chemische Inertheit dienen außerdem als stabile Basis für das anschließende Epitaxiewachstum und minimieren die Ausbreitung von Defekten.

Saphir-Wafer Al2O3 M plane 10x10x1,0 mm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat in LED-Geräten verwendet, um eine gleichmäßige Lichtemission zu erreichen, indem die gleichmäßige kristallografische Ausrichtung des Wafers genutzt wird.

Verarbeitung von Halbleitern
- Einsatz als Trägerwafer bei der Herstellung von Bauelementen zur Optimierung des Wärmemanagements durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit und Dimensionsstabilität.

Optische Komponenten
- Wird als Basis für optische Sensoren verwendet, um die Signalintegrität durch seine chemisch inerten und glatten Oberflächeneigenschaften zu verbessern.

Saphir-Wafer Al2O3 M plane 10x10x1,0 mm Verpackung

Der Wafer ist einzeln in einem statisch-dissipativen Behälter mit Schaumstoffpolsterung gesichert, um mechanische Stöße zu absorbieren. Er ist in einem antistatischen Beutel versiegelt, um Verunreinigungen durch Partikel und elektrostatische Entladungen zu verhindern. Die Verpackung ist für die Lagerung in einer temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Umgebung ausgelegt. Kundenspezifische Beschriftungen und unterteilte Verpackungen sind erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Versandanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie beeinflusst die Ausrichtung der M-Ebene die Leistung des Geräts?
A1: Die Ausrichtung der M-Ebene bietet eine einzigartige kristallografische Oberfläche, die die Gleichmäßigkeit des epitaktischen Schichtwachstums verbessert. Dies führt zu einer verbesserten Schichthaftung und einer geringeren Defektdichte, was Halbleiter- und Optikanwendungen zugute kommt, da eine präzisere Bauelementeherstellung möglich ist.

F2: Welche Lagerungsbedingungen werden für den Wafer empfohlen?
A2: Der Wafer sollte in einer sauberen, temperaturgeregelten und feuchtigkeitsarmen Umgebung gelagert werden, um Feuchtigkeitsaufnahme und thermische Belastung zu vermeiden. Eine ordnungsgemäße antistatische und gepolsterte Verpackung ist unerlässlich, um mechanische Beschädigungen und Kontaminationsrisiken zu verringern.

F3: Kann SAM die Abmessungen der Wafer oder die Oberflächenbeschaffenheit individuell anpassen?
A3: Ja, SAM bietet begrenzte Anpassungsmöglichkeiten, wie z. B. Anpassungen der Dicke, der seitlichen Abmessungen und der Oberflächenbeschaffenheit. Technische Überprüfungen stellen sicher, dass alle Änderungen den Anforderungen an die Prozesskompatibilität entsprechen, die für fortschrittliche Fertigungsumgebungen erforderlich sind.

Zusätzliche Informationen

Saphir, eine kristalline Form von Aluminiumoxid (Al2O3), ist bekannt für seine hohe Wärmeleitfähigkeit, chemische Inertheit und mechanische Härte. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich gut für Anwendungen, die eine stabile Leistung unter rauen Betriebsbedingungen erfordern. Seine optische Transparenz und seine elektrischen Isolationseigenschaften erleichtern auch den Einsatz in verschiedenen elektronischen Präzisionsgeräten.

Im Zusammenhang mit Kristallsubstraten tragen die inhärenten Eigenschaften von Saphir zu einer verbesserten Zuverlässigkeit und Leistung von Bauelementen bei der Herstellung moderner Halbleiter und optischer Geräte bei. Das Verständnis der Materialwissenschaft, die hinter Al2O3-Substraten steht, hilft bei der Optimierung von Prozessparametern für die nächste Stufe der Integration in anspruchsvollen Industrie- und Forschungsanwendungen.