AL10262 Saphir-Wafer Al2O3 M Ebene 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 M plane 0.5 inch x 0.5 inch x 0.5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 M plane 0.5 inch x 0.5 inch x 0.5 mm besteht aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer definierten M-Ebenen-Ausrichtung. Die Abmessungen des Substrats gewährleisten die Kompatibilität mit Präzisionsbearbeitungsgeräten. Seine mikroskalige Ebenheit unterstützt die genaue Abscheidung und lithografische Strukturierung in Halbleiter- und optischen Anwendungen. Strenge Oberflächenmesstechnik und Defektbewertung garantieren eine gleichbleibende kristallografische Qualität und unterstützen die fortschrittliche Materialforschung und Produktionsprozesse.

Saphir-Wafer Al2O3 M plane 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Substrat in Halbleiterbauelementen zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Epitaxieschichten durch Ausnutzung der kontrollierten Ausrichtung der M-Ebene des Wafers.
- Wird als Isolierschicht in mikroelektronischen Schaltungen verwendet, um durch seine chemische Inertheit eine optimale elektrische Isolierung zu erreichen.

2.optische Systeme
- Dient als Basis für optische Beschichtungen in hochauflösenden Sensoren zur Steuerung der Lichtreflexion durch Ausnutzung der hohen Transparenz und homogenen Struktur.
- Wird häufig in Laserkomponenten verwendet, um optische Pfade zu stabilisieren, was die Präzisionsausrichtung während des Herstellungsprozesses begünstigt.

Saphir-Wafer Al2O3 M plane 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen Träger gesichert und in einem starren, mit Schaumstoffeinlagen ausgekleideten Schutzgehäuse eingeschlossen. Die Lagerungsbedingungen erfordern eine saubere Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit, um eine Verunreinigung durch Partikel und eine Beschädigung der Oberfläche zu verhindern. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich vakuumversiegelter Beutel und Feuchtigkeitsbarrierebeutel, sind ebenfalls erhältlich, um spezifischen Lager- und Transportanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Rolle spielt die Ausrichtung der M-Ebene bei der Herstellung von Bauelementen?
A1: Die Ausrichtung der M-Ebene beeinflusst die Richtungseigenschaften während der Schichtabscheidung, erleichtert ein gleichmäßiges Wachstum und reduziert anisotrope Spannungen in den Bauteilen. Diese Eigenschaft ist entscheidend für Prozesse, die eine präzise Schichtgleichmäßigkeit erfordern.

F2: Wie wirkt sich die mikroskalige Ebenheit des Wafers auf die Halbleiterverarbeitung aus?
A2: Die mikroskalige Ebenheit minimiert Oberflächenunregelmäßigkeiten, was für Photolithographie- und Ätzprozesse von entscheidender Bedeutung ist. Diese Genauigkeit verbessert die Mustertreue und verringert die Prozessvariabilität.

F3: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?
A3: Zur Überwachung der Ebenheit und der Defektdichte werden fortschrittliche Oberflächenmesstechniken wie Rasterkraftmikroskopie und optische Profilometrie eingesetzt, die sicherstellen, dass der Wafer strenge dimensionale und kristallografische Kriterien erfüllt.

Zusätzliche Informationen

Substrate aus Aluminiumoxid (Al2O3) werden aufgrund ihrer chemischen Inertheit und hohen thermischen Stabilität in verschiedenen Forschungs- und Industriebereichen eingesetzt. Sie finden Anwendung in der Elektronik, in optischen Systemen und in der Sensortechnik, wo präzise Oberflächeneigenschaften erforderlich sind. Die Ausrichtung der M-Ebene in Saphir-Wafern bietet besondere Vorteile bei der gleichmäßigen Abscheidung von Dünnschichten und der Verringerung der Oberflächenrauhigkeit.

In der Materialwissenschaft wird in der laufenden Forschung die Bedeutung kontrollierter kristallografischer Orientierungen für die Optimierung der Geräteleistung hervorgehoben. Hochreine Saphirsubstrate, die mit Verfahren wie der chemischen Gasphasenabscheidung bearbeitet werden, treiben die Fortschritte in der Halbleitertechnologie und der Herstellung optischer Komponenten weiter voran.