AL10261 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm ist ein Halbleitersubstrat, das aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) besteht. Die Ausrichtung der C-Ebene (0001) bietet eine einheitliche Oberflächentopologie, die für die epitaktische Schichtabscheidung entscheidend ist. Die Abmessungen von 0,25 Zoll mal 0,25 Zoll mit einer Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standardverarbeitungsgeräten. Diese kontrollierte kristallographische Struktur trägt dazu bei, die Defektdichte bei der Herstellung von Bauelementen zu minimieren.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

1.elektronische und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Substrat in LED-Arrays zur Erzielung eines gleichmäßigen epitaktischen Filmwachstums durch Ausnutzung der konsistenten C-Ebenen-Ausrichtung.
- Verwendung als Basisschicht in HF-Schaltungen zur Verringerung von Signalverlusten durch Nutzung der geringen Defektdichte und der stabilen chemischen Zusammensetzung.

2.optoelektronische Anwendungen
- Verwendung als Fenstermaterial in optischen Sensoren zur Erzielung einer stabilen Lichtdurchlässigkeit durch Ausnutzung der homogenen Oberflächenmorphologie.
- Verwendung als Substrat für die Herstellung von Laserdioden zur Verbesserung der Emissionsstabilität durch Ausnutzung der kontrollierten kristallographischen Eigenschaften.

3.industrielle Anwendungen
- Verwendung als Komponente in Hochtemperatursensoren zur Erzielung von Leistungsstabilität durch Ausnutzung der chemischen Inertheit des Materials.
- Verwendung als Trägersubstrat in Präzisionsinstrumenten zur Gewährleistung genauer Messergebnisse durch Nutzung der minimalen Defektausbreitung.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,25 Zoll x 0,25 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Jeder Wafer ist einzeln in einem antistatischen Träger mit integrierter Schaumstoffpolsterung verpackt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Der Wafer wird in feuchtigkeitsbeständigen, kontaminationskontrollierten Beuteln versiegelt und unter Reinraumbedingungen gelagert. Die Verpackung ist so konzipiert, dass die Umgebungstemperatur und die kontrollierte Luftfeuchtigkeit beibehalten werden. Kundenspezifische Beschriftungen und Behälteroptionen sind ebenfalls erhältlich, um den spezifischen Handhabungsanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Ausrichtung der C-Ebene (0001) bei diesen Wafern überprüft?
A1: Die C-Ebenen-Orientierung wird durch eine hochauflösende Röntgenbeugungsanalyse (XRD) bestätigt. Diese Technik stellt sicher, dass die kristallografische Ausrichtung den strengen Anforderungen entspricht, die für eine gleichmäßige Schichtabscheidung bei der Halbleiterverarbeitung erforderlich sind.

F2: Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden bei der Waferherstellung durchgeführt?
A2: Der Herstellungsprozess umfasst eine fortschrittliche optische Inspektion und eine spektroskopische Analyse zur Überprüfung der Oberflächenebenheit und der chemischen Zusammensetzung. Diese Maßnahmen tragen dazu bei, Abweichungen frühzeitig zu erkennen und sicherzustellen, dass der Wafer die erforderliche kristallografische und kompositorische Konsistenz aufweist.

F3: Sind die Waferabmessungen mit Standardbearbeitungsgeräten kompatibel?
A3: Ja, die Waferabmessungen von 0,25 Zoll mal 0,25 Zoll mit einer Dicke von 0,5 mm sind für die Kompatibilität mit bestehenden Halbleiterfertigungsanlagen ausgelegt. Dies erleichtert die nahtlose Integration in verschiedene Epitaxiewachstums- und Bauelementeherstellungsprozesse.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Substrate aus Aluminiumoxid werden aufgrund ihrer ausgezeichneten thermischen und chemischen Stabilität sowohl in der Halbleiter- als auch in der Optoelektronikindustrie häufig eingesetzt. Aufgrund ihrer inhärenten Härte und minimalen Reaktivität eignen sie sich für Umgebungen, die langlebige, inerte Materialien erfordern, die hohen Temperaturen und aggressiven Chemikalien standhalten.

Das Verständnis der kristallographischen Orientierungen in Saphir-Wafern ist für die Optimierung der Abscheidung von Dünnschichten und Epitaxieschichten entscheidend. Die Ausrichtung in der C-Ebene (0001) wird in vielen Anwendungen besonders bevorzugt, da sie die Gleichmäßigkeit fördert und die Ausbreitung von Defekten während der Hochtemperaturverarbeitung verringert. Dieses Wissen spielt eine wichtige Rolle bei der Materialauswahl und Prozessentwicklung in der modernen Elektronikfertigung.