AL10260 Sapphire Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Der Wafer ist ein Aluminiumoxid (Al2O3)-Substrat mit einer (0001) C-Ebenen-Ausrichtung. Seine Abmessungen von 0,5 Zoll x 0,5 Zoll und eine Dicke von 0,5 mm ermöglichen die Integration mit Standard-Halbleiterbearbeitungswerkzeugen. Die kontrollierte kristallografische Ausrichtung ist eine wesentliche Voraussetzung für gleichmäßige Oberflächen und eine geringe Defektdichte. Die inhärente chemische Inertheit und strukturelle Stabilität von Al2O3 machen diesen Wafer zu einer effektiven isolierenden Barriere in fortschrittlichen elektronischen und optischen Geräten.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat in Halbleiterbauelementen verwendet, um eine konsistente elektrische Isolierung durch Ausnutzung einer kontrollierten (0001) kristallographischen Ausrichtung zu erreichen.
- Anwendung als dielektrische Barriere in mikroelektronischen Schaltungen zur Minimierung von Signalinterferenzen durch die Verwendung einer gleichmäßig glatten Oberfläche.

Optisch und industriell
- Verwendung als optisches Fenster in LED-Systemen zur Erzielung einer stabilen Lichtdurchlässigkeit durch Ausnutzung der hohen chemischen Inertheit des Materials.
- Verwendung als Komponente in Sensorgehäusen zur Erzielung thermischer Stabilität unter schwankenden Betriebsbedingungen durch Nutzung der robusten strukturellen Eigenschaften von Al2O3.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Jeder Wafer ist einzeln in einem antistatischen, staubkontrollierten Behälter mit gepolsterten Schaumstoffeinlagen verpackt. Das Produkt ist in feuchtigkeitsbeständigen, vakuumversiegelten Beuteln versiegelt und wird in einer temperaturgeregelten Verpackung versandt, um Verunreinigungen und mechanische Belastungen zu minimieren. Die Wafer müssen in einer trockenen Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Kundenspezifische Verpackungslösungen, einschließlich spezifischer Etikettierung und Unterteilung in Fächer, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Ausrichtung der C-Ebene (0001) für diese Wafer überprüft?
A1: Die Ausrichtung des Wafers wird durch eine Röntgenbeugungsanalyse (XRD) bestätigt, die eine detaillierte Untersuchung der kristallografischen Struktur ermöglicht. Mit dieser Methode wird sichergestellt, dass die Ausrichtung den strengen Kriterien entspricht, die für nachgeschaltete Halbleiterprozesse erforderlich sind.

F2: Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Lagerung zu beachten?
A2: Die Wafer sollten in einer temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Umgebung mit antistatischer Verpackung gelagert werden. Die Verwendung von feuchtigkeitsbeständigen, gepolsterten Behältern minimiert das Kontaminationsrisiko und die physische Belastung, wodurch die Unversehrtheit des Substrats auf Dauer erhalten bleibt.

F3: Sind Modifikationen möglich, um spezifische Forschungsanforderungen zu erfüllen?
A3: Anpassungsmöglichkeiten in Bezug auf Waferabmessungen und Oberflächenbehandlungen sind verfügbar. Jede gewünschte Modifikation wird einer kontrollierten Verarbeitung und detaillierten Oberflächeninspektion unterzogen, was die Kompatibilität mit verschiedenen Versuchsaufbauten und Herstellungsprozessen erleichtert.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer werden aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) hergestellt und zeichnen sich durch ihre geordnete kristallografische Struktur aus, die die Defektdichte minimiert und die thermische Stabilität erhöht. Diese Substrate sind unverzichtbar für Anwendungen, bei denen es auf präzise Isolierung und minimale Verunreinigung ankommt.

In der allgemeinen Materialwissenschaft spielen Al2O3-Substrate eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Halbleitern und optischen Geräten. Sie werden auch in der Forschung eingesetzt, wo gleichbleibende Oberflächeneigenschaften und eine kontrollierte Kristallographie die Leistung und Zuverlässigkeit der Geräte erheblich beeinflussen.