AL10259 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm Beschreibung

Bei diesem Produkt handelt es sich um einen Wafer aus Al2O3 mit einer präzisen C-Ebenen-Ausrichtung (0001) und Abmessungen von 10x10 mm bei einer Dicke von 0,1 mm. Die kontrollierte kristallografische Ausrichtung gewährleistet eine minimale Oberflächendefektdichte und eine gleichmäßige Ebenheit, was für die Halbleiterverarbeitung und analytische Anwendungen unerlässlich ist. Seine Zusammensetzung und strukturelle Regelmäßigkeit bieten eine stabile Plattform für verschiedene Dünnschichtabscheidungs- und mikroelektronische Herstellungsverfahren.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm Anwendungen

1.
Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat für das epitaktische Filmwachstum für Halbleiterbauelemente, um durch die glatte C-Ebenen-Oberfläche eine gleichmäßige Schichtabscheidung zu erreichen.
- Anwendung als isolierende Plattform in mikroelektronischen Schaltungen zur Minimierung dielektrischer Interferenzen durch Nutzung der hohen chemischen Reinheit und gleichmäßigen Kristallinität.

2.
Industrielle Sensoren und optische Systeme
- Dient als Testbasis für optische Sensoren zur Überprüfung der Lichttransmissionseigenschaften durch Ausnutzung der hervorragenden Oberflächenebenheit.
- Wird häufig als Kalibrierungsstandard in optischen Präzisionsinstrumenten verwendet, um dank seiner kontrollierten Dicke und Zusammensetzung genaue Messungen zu erzielen.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm Verpackung

Der Wafer wird einzeln in einem antistatischen Gehäuse verpackt und in einer mit Schaumstoff ausgekleideten Box gesichert, um mechanische Beschädigungen während des Transports zu vermeiden. Jede Einheit ist in einem feuchtigkeitsbeständigen Beutel versiegelt, um Verschmutzung und Oxidation zu verhindern. Die Verpackung ist so konzipiert, dass eine kontrollierte Umgebung aufrechterhalten wird, in der die Maßtoleranzen und die Oberflächenqualität des Wafers erhalten bleiben, bis er für die Anwendung bereit ist. Kundenspezifische Beschriftungen und unterteilte Verpackungsoptionen sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die (0001) kristallographische Orientierung verifiziert?
A1: Die Ausrichtung wird durch hochauflösende Röntgenbeugung und Elektronenrückstreuung bestätigt. Mit diesen Verfahren wird die Ausrichtung genau gemessen und sichergestellt, dass der Wafer die erforderlichen Spezifikationen für Ebenheit und Defektdichte erfüllt.

F2: Welche Reinigungs- und Handhabungsverfahren werden vor der Verarbeitung empfohlen?
A2: Es ist ratsam, den Wafer in hochreinen Lösungsmitteln zu spülen, gefolgt von DI-Wasser, und ihn mit gefiltertem Stickstoff zu trocknen. Die Handhabung mit Reinraumhandschuhen und -werkzeugen ist unerlässlich, um eine Partikelkontamination zu vermeiden und die Integrität der Oberfläche zu erhalten.

F3: Wie wird die Maßhaltigkeit während der Produktion sichergestellt?
A3: Die Maßhaltigkeit wird durch optische Inline-Inspektion und mikrometerbasierte Messungen überwacht. Dieses Verfahren gewährleistet, dass jeder Wafer die für die Halbleiterverarbeitung erforderlichen Toleranzen von 10x10 mm und 0,1 mm Dicke einhält.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Wafer, die aus Aluminiumoxid bestehen, werden aufgrund ihrer chemischen Inertheit und thermischen Stabilität in großem Umfang in mikro- und optoelektronischen Anwendungen eingesetzt. Die intrinsischen Eigenschaften von Al2O3, gepaart mit einer präzise kontrollierten C-Ebenen-Orientierung, bieten eine zuverlässige Plattform für Forschungs- und industrielle Herstellungsprozesse.

Das Verständnis des physikalischen und chemischen Verhaltens von Saphirsubstraten hilft Materialwissenschaftlern bei der Optimierung der Leistung von Bauelementen. Analytische Methoden wie Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie bieten Einblicke in die Mikrostruktur und ermöglichen genaue Vorhersagen der Leistung in hochpräzisen Umgebungen.