AL10258 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x5x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x5x0,5 mm ist ein hochreines, einkristallines Aluminiumoxid-Substrat mit einer (0001)-Ausrichtung. Die Abmessungen von 10 mm x 5 mm und eine Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen bei gleichzeitiger Wahrung der mechanischen Stabilität. Seine präzise kristallografische Ausrichtung ist entscheidend für Anwendungen, die eine gleichbleibende elektrische Isolierung und optische Klarheit in Forschungs- und Produktionsprozessen erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung von Halbleitersensoren zur Erzielung einer hohen Signalstabilität durch Ausnutzung der gleichmäßigen kristallographischen Ausrichtung.
- Verwendung als dielektrische Schicht in HF-Filterbaugruppen zur Verringerung von Signalstörungen durch Ausnutzung seiner effektiven elektrischen Isolationseigenschaften.

Industriell
- Wird als Kalibrierungsstandard in optischen Messsystemen verwendet, um durch seine gleichmäßige Dicke und optische Klarheit eine genaue Maßanalyse zu gewährleisten.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm Verpackung

Jeder Wafer ist einzeln in einem antistatischen, gepolsterten Behälter verpackt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Er ist in einem versiegelten Kunststoffbeutel mit integriertem Trockenmittel eingeschlossen, um eine feuchtigkeitsfreie Umgebung zu gewährleisten. Die Lagerung in einem temperaturgeregelten Bereich wird empfohlen, um thermischen Stress zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich beschrifteter Fächer und spezieller Polsterung, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Bedeutung hat die (0001)-Ausrichtung bei diesem Wafer?
A1: Die (0001)-Ausrichtung definiert eine einheitliche Kristallebene, die für konsistente optische und elektrische Eigenschaften unerlässlich ist. Diese Ausrichtung minimiert die Variabilität im Substratverhalten, was für präzise Forschungs- und industrielle Herstellungsprozesse wichtig ist.

F2: Wie wirken sich die angegebenen Abmessungen auf die Prozessintegration aus?
A2: Die Größe von 10x5 mm und die Dicke von 0,5 mm sind auf Standard-Halbleiterverarbeitungsgeräte abgestimmt, was eine effiziente Handhabung und konsistente Ergebnisse bei der Schichtabscheidung, dem Ätzen und anderen Fertigungsschritten ermöglicht.

F3: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?
A3: Stanford Advanced Materials setzt systematische Oberflächenanalyseverfahren wie REM- und AFM-Scans ein, um Defekte aufzuspüren und die Maßhaltigkeit zu überprüfen. Diese Kontrollen tragen dazu bei, dass die Wafer die strengen Anforderungen von Kristallsubstratanwendungen durchweg erfüllen.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer, die aus einkristallinem Al2O3 bestehen, sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung von Substraten für verschiedene elektronische und optoelektronische Geräte. Ihre inhärenten Eigenschaften, einschließlich hoher elektrischer Isolierung und optischer Transparenz, machen sie zu einer bevorzugten Wahl in Umgebungen, in denen ein präzises Materialverhalten erforderlich ist. Der kontrollierte Wachstumsprozess und die strenge Oberflächenprüfung tragen dazu bei, die Defektdichte zu minimieren.

Im breiteren Kontext der Materialwissenschaft bieten Substrate wie diese eine stabile Plattform für die Abscheidung dünner Schichten und die Herstellung von Halbleiterkomponenten. Die Betonung der kristallographischen Ausrichtung und der Maßgenauigkeit unterstützt Fortschritte in Forschung und Produktion und ermöglicht eine höhere Leistung und Integration in elektronische Systeme.