AL10257 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x1,0 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x1,0 mm Beschreibung

Der Wafer wird aus einkristallinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer definierten C-Ebenen-Ausrichtung (0001) hergestellt. Mit Abmessungen von 10 mm x 5 mm und einer Dicke von 1,0 mm bietet er optimale Ebenheit und minimale Oberflächenfehler. Diese Struktur ist entscheidend für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei denen die kontrollierte kristallografische Ausrichtung und die chemische Inertheit zur Stabilisierung der Prozesse und zur Verringerung des Kontaminationsrisikos beitragen.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x1,0 mm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Substrat in LED-Gehäusen, um ein effizientes Wärmemanagement zu erreichen, indem die hohe thermische Stabilität des Wafers genutzt wird.
- Verwendung als Basisschicht in Leistungshalbleitern, um die Maßgenauigkeit aufgrund der kontrollierten Kristallstruktur zu erhalten.

Industriell
- Dient als Komponente in Sensormodulen, um eine hohe Messgenauigkeit zu erreichen, indem seine chemische Inertheit genutzt wird.
- Wird als Plattform in mikroelektromechanischen Systemen verwendet, um durch seine gleichbleibenden Materialeigenschaften eine dauerhafte Leistung unter thermischer Belastung zu gewährleisten.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x1,0 mm Verpackung

Der Wafer wird einzeln in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, um mechanische Belastungen und Oberflächenverunreinigungen zu minimieren. Er wird in Materialien mit Reinraumqualität versiegelt und unter kontrollierten Temperatur- und Feuchtigkeitsbedingungen gelagert. Um die Integrität des Substrats zu bewahren, werden Anti-Kratz-Maßnahmen und Verpackungen in kontrollierter Umgebung eingesetzt, wobei kundenspezifische Optionen auf Anfrage erhältlich sind.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Qualitätskontrollmethoden werden während der Produktion eingesetzt?
A1: Der Wafer wird einer umfassenden Oberflächenanalyse mit Hilfe von REM- und optischen Inspektionen unterzogen, um die kristallografische Ausrichtung zu überprüfen und Defekte zu erkennen. Diese Verfahren stellen sicher, dass Dicke und Ebenheit innerhalb der strengen Toleranzen liegen, die für die Halbleiterverarbeitung unerlässlich sind.

F2: Wie werden die Abmessungen der Wafer während der Herstellung eingehalten?
A2: Hochpräzise Schneid- und Polierverfahren in Kombination mit interferometrischer Messtechnik sorgen dafür, dass die Abmessungen konstant bleiben. Dadurch werden Abweichungen auf ein Minimum reduziert, was für die Integration in Halbleiterfertigungslinien entscheidend ist.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden für diesen Wafer empfohlen?
A3: Die Lagerung des Wafers in einer temperaturgeregelten, feuchtigkeitsarmen Umgebung in einer antistatischen Verpackung minimiert Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen und bewahrt seine Oberflächenintegrität für Hochtemperaturanwendungen.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer aus Al2O3 werden wegen ihres hohen Schmelzpunkts, ihrer chemischen Inertheit und ihrer außergewöhnlichen Härte eingehend untersucht. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet sich das Material für Anwendungen, die eine stabile Leistung in anspruchsvollen Umgebungen erfordern, z. B. bei der Halbleiterverarbeitung und der Herstellung von LEDs.

Die laufende Forschung in der Materialwissenschaft konzentriert sich auf die Verringerung der Defektdichte und die Verbesserung der Oberflächengleichmäßigkeit von Saphir-Substraten. Fortschritte im Präzisionsschneiden und in der Messtechnik haben es den Herstellern ermöglicht, die Eigenschaften der Wafer maßzuschneidern, was zu Substraten geführt hat, die den strengen Anforderungen der modernen Mikroelektronik und der industriellen Sensorik entsprechen.