AL10256 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,25 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,25 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,25 mm ist ein einkristallines Substrat aus Aluminiumoxid (Al2O3). Die Abmessungen von 10x10 mm mit einer Dicke von 0,25 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen. Seine (0001) C-Ebenen-Orientierung bietet eine einheitliche kristalline Oberfläche, die für das Epitaxiewachstum und optische Hochleistungsgeräte unerlässlich ist. Die inhärente chemische Inertheit und hohe thermische Stabilität unterstützen Anwendungen, die strenge Materialeigenschaften erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,25 mm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat in integrierten Schaltkreisen verwendet, um Grenzflächendefekte durch seine einheitliche Kristallstruktur zu verringern.

Optische Systeme
- Verwendung als optisches Fenster in Sensorbaugruppen zur Behebung von Lichtstreuungsproblemen durch Ausnutzung der gleichmäßigen Oberflächenebenheit.

Industriell
- Wird als Komponente in Hochtemperaturverarbeitungsanlagen verwendet, um die Isolationseigenschaften durch Nutzung der thermischen Stabilität zu erhalten.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,25 mm Verpackung

Der Wafer wird in antistatischen Beuteln mit geringer Oberflächenenergie verpackt und in gepolsterten Behältern aus inertem Material eingeschlossen, um mechanische Einwirkungen und Verunreinigungen zu minimieren. Die Lagerung in sauberen Umgebungen mit kontrollierter Temperatur und Luftfeuchtigkeit wird empfohlen, um die Materialintegrität zu erhalten. Kundenspezifische starre Verpackungen, einschließlich Unterteilung und Etikettierung, sind erhältlich, um speziellen Transport- und Lagerungsanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Oberflächenebenheit während der Herstellung kontrolliert?
A1: Der Wafer wird mittels Rasterkraftmikroskopie und Laserinterferometrie geprüft, um die Ebenheit der Oberfläche innerhalb der Mikrometer-Toleranzen sicherzustellen. Mit diesen Methoden werden die Rauheit effektiv gemessen und kleinere Defekte erkannt, die sich auf die nachfolgende Verarbeitung auswirken könnten.

F2: Welche Rolle spielt die Ausrichtung der C-Ebene (0001) für die Leistung des Substrats?
A2: Die (0001)-Orientierung sorgt für eine einheitliche Spaltungsebene, die die Genauigkeit der epitaktischen Abscheidung erhöht. Diese überlegte Ausrichtung verbessert die Schnittstellenqualität für Halbleiter- und optische Anwendungen.

F3: Wie wird die Defektdichte während der Produktion minimiert?
A3: SAM setzt eine kontrollierte thermische Verarbeitung und strenge Inline-Inspektionen mit Hilfe von Messinstrumenten ein, um Defekte zu erkennen und zu reduzieren. Dieser Ansatz stellt sicher, dass der Wafer die notwendige Konsistenz für die Herstellung von elektronischen High-End-Geräten erreicht.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid in seiner einkristallinen Form, allgemein bekannt als Saphir, zeichnet sich durch hohe Härte, hervorragende Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit aus. Diese Eigenschaften machen es zu einer häufigen Wahl für Substrate in elektronischen und optischen Anwendungen, bei denen eine dauerhafte Materialleistung erforderlich ist. Die Kenntnis der kristallografischen Orientierung hilft bei der Auswahl des Materials für bestimmte Herstellungsverfahren.

Die Herstellung von Saphirwafern erfordert ein kontrolliertes Kristallwachstum und umfangreiche Nachbearbeitungsprozesse. Forscher und Ingenieure verlassen sich auf detaillierte Materialcharakterisierungen, um diese Substrate in fortschrittliche Geräte zu integrieren und sicherzustellen, dass sowohl die Kompatibilität der Verarbeitungsanlagen als auch die anwendungsspezifischen Anforderungen durch eine präzise Materialentwicklung erfüllt werden.