AL10255 Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x10x0,1 mm

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x10x0,1 mm Beschreibung

Der Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 10x10x0,1 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) hergestellt und präzise entlang der A plane (11-20) geschnitten. Die Größe von 10x10 mm sorgt für Kompatibilität mit Standardbearbeitungsgeräten, während die Dicke von 0,1 mm eine minimale thermische Masse für Hochgeschwindigkeitsprozesse unterstützt. Seine inhärente chemische Inertheit und strukturelle Homogenität minimieren das Kontaminationsrisiko bei der Herstellung von Halbleitern und optischen Geräten.

Saphir Wafer Al2O3 A Ebene (11-20) 10x10x0,1 mm Anwendungen

Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat bei der Dünnschichtabscheidung für integrierte Schaltkreise, um ein gleichmäßiges Schichtwachstum zu erreichen, indem die gleichmäßige Kristallorientierung genutzt wird.
- Wird als Träger für das Wachstum von Epitaxieschichten in elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten verwendet und profitiert von seiner Maßhaltigkeit und chemischen Inertheit.

Optoelektronik und Sensorsysteme
- Dient als Basismaterial bei der Herstellung von LEDs zur Förderung einer optimalen Lichtemission durch seine hervorragende Oberflächenbeschaffenheit und geringe Defektdichte.
- Wird in optischen Sensormodulen eingesetzt, um aufgrund seiner ausgezeichneten strukturellen Gleichmäßigkeit eine hohe Signalklarheit zu erhalten und Rauschen zu reduzieren.

Industrielle Prozessausrüstung
- Wird häufig als Komponente in Präzisions-Wärmeverarbeitungssystemen verwendet, um eine schnelle Wärmeübertragung zu ermöglichen, indem seine geringe thermische Masse und hohe Wärmebeständigkeit genutzt werden.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x10x0,1 mm Verpackung

Die Wafer werden in antistatischen, reinraumtauglichen Behältern mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Jeder Wafer ist einzeln in feuchtigkeitsundurchlässigen Beuteln versiegelt, um die Verunreinigung durch Partikel zu minimieren. Es wird empfohlen, die Produkte in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und kontrollierter Temperatur zu lagern. Kundenspezifische Verpackungsoptionen sind verfügbar, um spezifische Logistik- und Handhabungsanforderungen zu erfüllen und gleichzeitig die Integrität des Substrats zu bewahren.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Verarbeitungstechniken werden eingesetzt, um die Ebenheit des Substrats zu gewährleisten?
A1: SAM verwendet während der Verarbeitung ein interferometrisches Oberflächenmapping, das Abweichungen genau erkennt und die Ebenheit quantifiziert. Diese Messung dient als Grundlage für den abschließenden Polierschritt, der sicherstellt, dass der Wafer die strengen Ebenheitskriterien erfüllt, die für Halbleiteranwendungen erforderlich sind.

Q2: Wie wirkt sich die Ausrichtung der A-Ebene (11-20) auf die Leistung der Bauteile aus?
A2: Die Ausrichtung der A-Ebene (11-20) bietet eine konsistente Oberflächenausrichtung und eine geringere Defektdichte, was zu einer verbesserten Schichtgleichmäßigkeit beim Epitaxiewachstum führt. Diese Gleichmäßigkeit trägt dazu bei, vorhersehbare elektrische Eigenschaften und Bauelementleistungen zu erzielen.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Qualität der Wafer zu erhalten?
A3: Es wird empfohlen, die Wafer in einer Umgebung mit kontrollierter Temperatur und geringer Luftfeuchtigkeit zu lagern. Die Substrate sollten bis zur Verwendung in ihrer antistatischen Verpackung bleiben, um Verunreinigungen und physische Schäden während der Handhabung zu vermeiden.

Zusätzliche Informationen

Saphirsubstrate, die aus kristallinem Al2O3 bestehen, spielen eine entscheidende Rolle bei Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen. Aufgrund ihrer chemischen Inertheit und mechanischen Härte eignen sie sich für Umgebungen, in denen minimale Wechselwirkungen und hohe Beständigkeit erforderlich sind. Die Wahl eines A-Ebenen-Schliffs sorgt darüber hinaus für eine einheitliche Oberfläche, die nachfolgenden Prozessen wie Epitaxie und Dünnschichtabscheidung zugute kommt.

Im breiteren Kontext der Materialwissenschaft sind Saphirwafer für den Fortschritt der Halbleiter- und Optoelektronikindustrie von entscheidender Bedeutung. Ihre präzise kristallografische Ausrichtung und ihre hervorragenden Oberflächeneigenschaften fördern die Leistungsfähigkeit der Geräte, insbesondere dort, wo Präzision und Stabilität im Nanobereich entscheidend sind.