AL10253 Saphir-Wafer Al2O3 R Ebene 5x5x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 5x5x0.5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 5x5x0,5 mm ist ein Al2O3-Substrat, das für die hochpräzise Herstellung in der Halbleiter- und Optikforschung entwickelt wurde. Die Abmessungen von 5 mm x 5 mm und die Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standardbearbeitungsgeräten. Die Ausrichtung in der R-Ebene fördert die Gleichmäßigkeit der Oberfläche und die Haftung der Schichten und ermöglicht so effektive Abscheidungs- und Ätzvorgänge. Die inhärente chemische Inertheit von Al2O3 unterstützt die Verwendung in Umgebungen, die eine minimale Kontamination erfordern.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 5x5x0,5 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Substrat in integrierten Schaltungen zur Verbesserung der elektrischen Isolierung durch Ausnutzung der chemischen Inertheit.
- Wird als Basis für MEMS-Bauteile verwendet, um durch seine kontrollierten Abmessungen und gleichmäßigen Oberflächeneigenschaften eine stabile Leistung zu erzielen.

Optische und Präzisionsinstrumentierung
- Dient als Komponente in LED- und Lasersystemen zur Unterstützung der thermischen Stabilität durch Ausnutzung seiner hohen Wärmeleitfähigkeit.
- Wird in optischen Sensoren eingesetzt, um aufgrund seiner gleichmäßigen Ausrichtung in der R-Ebene eine genaue Schichtabscheidung zu ermöglichen.

Saphir-Wafer Al2O3 R-Ebene 5x5x0,5 mm Verpackung

Der Wafer wird einzeln in antistatischen Behältern mit Schaumstoffeinlagen zur Abfederung mechanischer Beanspruchung verpackt. Versiegelte Beutel mit Trockenmittelpaketen verhindern die Einwirkung von Feuchtigkeit, und das Substrat wird flach gelagert, um seine Integrität zu erhalten. Zusätzliche Optionen, wie z. B. kundenspezifische Beschriftungen und modifizierte Behälter, sind erhältlich, um den spezifischen Anforderungen von Labor und Industrie gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Vorteile bietet die Ausrichtung der R-Ebene für die nachfolgenden Verarbeitungsschritte?
A1: Die Ausrichtung der R-Ebene minimiert Oberflächenunregelmäßigkeiten und verbessert die Schichthaftung während der Abscheidungs- und Ätzprozesse. Diese Konsistenz ist entscheidend für Anwendungen, die eine präzise Strukturierung und eine genaue Bauelementeherstellung erfordern.

Q2: Welche Handhabungsmaßnahmen werden empfohlen, um die Integrität des Wafers zu erhalten?
A2: Es wird empfohlen, den Wafer in einem Reinraum mit antistatischen Werkzeugen zu handhaben und ihn in einer versiegelten, gepolsterten Verpackung zu lagern. Diese Maßnahmen tragen zum Schutz vor Verunreinigungen durch Partikel und mechanischer Belastung während der Verarbeitung und des Transports bei.

F3: Sind für dieses Wafersubstrat kundenspezifische Abmessungen erhältlich?
A3: Eine kundenspezifische Anpassung der Waferabmessungen ist nach einer technischen Prüfung möglich. Spezifische Anforderungen werden bewertet, um sicherzustellen, dass die kristallografische Qualität und die Verarbeitungskompatibilität erhalten bleiben, wobei Änderungen von Fall zu Fall bewertet werden.

Zusätzliche Informationen

Saphir oder Aluminiumoxid (Al2O3) wird in der Materialwissenschaft wegen seiner chemischen Inertheit und hohen Wärmeleitfähigkeit geschätzt. Diese Eigenschaften machen es zu einem geeigneten Substrat für Anwendungen, die eine stabile thermische und chemische Leistung erfordern, insbesondere bei der Halbleiterverarbeitung und der Herstellung optischer Komponenten.

Fortschritte in der Substratpräparation haben die Reproduzierbarkeit der Kristallorientierung und der Dickensteuerung verbessert. Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Kristallographie und Materialeigenschaften ist von entscheidender Bedeutung für die Optimierung der Leistung in Präzisionsfertigungsumgebungen und die Erleichterung neuer Entwicklungen bei der Geräteintegration.