AL10251 Saphir-Wafer Al2O3 M Ebene 5x5x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 M plane 5x5x0.5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 M plane 5x5x0,5 mm ist ein Einkristallsubstrat aus Aluminiumoxid, das für Kristallsubstratanwendungen bei der Herstellung von Halbleitern und optoelektronischen Geräten verwendet wird. Die kontrollierte Ausrichtung der M-Ebene bietet eine gleichmäßig glatte Oberfläche, die sich ideal für die Integration in Standardbearbeitungsanlagen eignet. Die Abmessungen unterstützen die Kompatibilität mit konventionellen Abscheide- und Ätzwerkzeugen, während die intrinsische Wärmeleitfähigkeit und die elektrischen Isolationseigenschaften die Isolierung von Bauelementen und die Prozessstabilität bei hohen Temperaturen unterstützen.

Saphir-Wafer Al2O3 M plane 5x5x0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Substrat in LED-Displays, um ein effektives Wärmemanagement zu erreichen, indem die dem Saphir eigene hohe Wärmeleitfähigkeit genutzt wird.
- Anwendung als dielektrische Barriere in Hochfrequenzschaltungen zur Reduzierung von Signalstörungen durch Nutzung der hervorragenden elektrischen Isolierung.

Industriell
- Verwendung als optisches Fenster in Umweltsensoren zur Aufrechterhaltung einer stabilen Überwachung durch Ausnutzung seiner kratzfesten Oberfläche.
- Verwendung als Isolierschicht in leistungselektronischen Systemen zur Aufrechterhaltung der elektrischen Trennung durch Nutzung seiner inhärenten Isoliereigenschaften.

Saphir-Wafer Al2O3 M Ebene 5x5x0,5 mm Verpackung

Die Wafer sind einzeln in antistatischen Beuteln mit Feuchtigkeitsbarriere verpackt und in mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern gesichert, um mechanische Beschädigungen und Oberflächenverunreinigungen zu minimieren. Sie sollten in einer temperaturgeregelten Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit gelagert werden, um Oxidation zu vermeiden. Die Verpackungen sind mit Schutzfolien versehen und können nach technischer Rücksprache mit einer speziellen Beschriftung und Unterteilung in Fächer versehen werden, um den genauen Anforderungen an Lagerung und Handhabung gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Ausrichtung der M-Ebene während der Produktion bestätigt?
A1: Die Orientierung der M-Ebene wird durch Röntgenbeugung und Rasterelektronenmikroskopie überprüft. Diese Methoden bewerten die kristallografische Ausrichtung und die Oberflächenqualität und stellen sicher, dass das Substrat die strengen Verarbeitungsstandards erfüllt.

Q2: Welche Lagerungsbedingungen werden für diese Wafer empfohlen?
A2: Es wird empfohlen, die Wafer in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung mit minimaler Staubbelastung zu lagern. Die Verwendung von antistatischen Verpackungen und Feuchtigkeitssperrfolien hilft, Verunreinigungen und Oberflächenbeschädigungen zu vermeiden.

F3: Gibt es Anpassungsmöglichkeiten für die Abmessungen oder die Ausrichtung der Wafer?
A3: Anpassungsmöglichkeiten können auf der Grundlage der Produktionskapazitäten erörtert werden. Es werden technische Beratungen durchgeführt, um festzustellen, ob spezifische Änderungen der Abmessungen oder der Ausrichtung ohne Veränderung der inhärenten Eigenschaften des Substrats erreicht werden können.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer, die ausschließlich aus Aluminiumoxid (Al2O3) bestehen, werden in der Materialwissenschaft wegen ihrer hervorragenden optischen Transparenz und mechanischen Festigkeit eingehend untersucht. Ihre kristalline Struktur und kontrollierten Oberflächenausrichtungen, wie die M-Ebene, unterstützen die Integration in zahlreiche Halbleiter- und optoelektronische Prozesse.

Im breiteren Kontext fortschrittlicher Materialien spielen Saphir-Substrate eine entscheidende Rolle in Umgebungen mit hohen Temperaturen und hohen elektrischen Anforderungen. Die Forschung konzentriert sich weiterhin auf die Optimierung von Wachstumsprozessen und Oberflächenbehandlungen, um ihre Kompatibilität mit neuen Fertigungstechnologien in verschiedenen Industrie- und Forschungsanwendungen zu verbessern.