AL10250 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,1 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,1 mm ist ein einkristallines Aluminiumoxid-Substrat mit einer (0001) kristallographischen Ebene und einer Größe von 10 mm x 10 mm mit einer Dicke von 0,1 mm. Die kontrollierte Ausrichtung und die inhärente chemische Inertheit des Wafers unterstützen die Verarbeitung von Bauteilen bei hohen Temperaturen und hohen Frequenzen. Die flache Oberfläche und die geringe Defektdichte gewährleisten eine effektive Integration in die Halbleiter- und optoelektronische Fertigung.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm Anwendungen

Elektronische Anwendungen
- Verwendung als isolierendes Substrat in RF-Geräten zur Minimierung von Signalstörungen durch Ausnutzung des geringen dielektrischen Verlusts.
- Verwendung als Plattform in LED-Baugruppen zur Verbesserung der Lichtausbeute durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Inertheit des Wafers.

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Komponente in Hochtemperatur-Sensormodulen zur Erzielung einer stabilen Betriebsleistung durch Ausnutzung der robusten thermischen Stabilität und gleichmäßigen Oberflächenbeschaffenheit.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,1 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem statikfreien, kratzfesten Beutel in einem starren, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Eine Feuchtigkeitsbarriere schützt das Produkt während des Transports und der Lagerung. Klare Handhabungsanweisungen und Lagerungsempfehlungen sorgen dafür, dass die Unversehrtheit der Oberfläche erhalten bleibt. Kundenspezifische Verpackungslösungen sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Labor- oder Industrieanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Qualitätskontrollmethoden werden bei der Waferherstellung angewandt?
A1: Der Produktionsprozess umfasst Röntgenbeugung und Oberflächenprofilometrie, um die (0001)-Orientierung zu überprüfen und etwaige Mikrodefekte zu erkennen. Diese Maßnahmen gewährleisten, dass der Wafer die strengen Spezifikationen für die Halbleiterverarbeitung erfüllt.

F2: Welche Vorteile bietet die (0001) C-Ebenen-Ausrichtung bei der Herstellung von Bauelementen?
A2: Die (0001) C-Ebenen-Orientierung bietet eine atomar glatte Oberfläche, die für die Schichtabscheidung und die Bauteilintegration entscheidend ist. Diese Ausrichtung minimiert Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche und unterstützt das gleichmäßige Schichtwachstum bei der Halbleiterherstellung.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Integrität der Wafer zu erhalten?
A3: Wafer sollten in einer sauberen, temperaturgeregelten Umgebung gelagert werden, die frei von übermäßiger Feuchtigkeit und Feinstaub ist. Die Verwendung statikfreier Verpackungen und die Aufrechterhaltung eines staubfreien Lagerbereichs tragen dazu bei, die Oberfläche und die Gesamtintegrität des Wafers zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Saphir-Substrate, die aus Al2O3 bestehen, werden aufgrund ihrer außergewöhnlichen thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften häufig in der Materialwissenschaft verwendet. Dank ihrer inhärenten Härte und chemischen Inertheit können sie rauen Verarbeitungsumgebungen standhalten und sind daher ideal für Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen.

Die Auswahl einer C-Ebenen-Ausrichtung (0001) ist entscheidend für das Erreichen bestimmter Wachstumsmodi bei der Dünnschichtabscheidung. Diese Ausrichtung fördert die Gleichmäßigkeit auf der Waferoberfläche und unterstützt so fortschrittliche Mikrofertigungstechniken und gewährleistet eine effektive Leistung bei hochpräzisen Bauelementen.