AL10249 Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x10x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 10x10x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 10x10x0,5 mm ist ein kristallines Substrat, das aus Aluminiumoxid (Al2O3) besteht. Der spezifizierte Schnitt der A-Ebene (11-20) ergibt eine konsistente kristallographische Orientierung und eine glatte Oberfläche. Die Größe von 10x10 mm und die Dicke von 0,5 mm erleichtern die Integration in Standardverarbeitungsanlagen. Seine chemische Inertheit und thermische Stabilität verbessern seine Leistung bei der Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Geräten.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x10x0,5 mm Anwendungen

Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltkreise, um eine gleichmäßige Abscheidung von Dünnschichten zu erreichen, indem die einheitliche kristallografische Ausrichtung des Wafers genutzt wird.
- Verwendung als Basis für Sensorgeräte in Hochfrequenzanwendungen zur Kontrolle der Schnittstellenqualität durch Nutzung minimaler Oberflächenrauhigkeit.

Optoelektronische Geräte
- Einsatz als optische Plattform in LED- und Lasermodulen zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit durch Ausnutzung der Transparenz und thermischen Stabilität des Materials.

Anwendungen in Industrie und Forschung
- Einsatz als Kalibrierungsstandard in der Materialforschung zur Sicherstellung präziser Messergebnisse durch Nutzung definierter Abmessungen und geringer Fehlerdichte.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 10x10x0,5 mm Verpackung

Jeder Wafer ist in einem gepolsterten, antistatischen Beutel eingeschlossen und in einem starren, feuchtigkeitsundurchlässigen Behälter versiegelt. Die Verpackung ist so konzipiert, dass sie die Kontamination durch Partikel minimiert und vor mechanischen Stößen während des Transports schützt. Die Lagerung sollte in einer kontrollierten Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und stabiler Temperatur erfolgen. Kundenspezifische Verpackungslösungen, einschließlich unterteilter oder etikettierter Behälter, sind auf Anfrage erhältlich, um speziellen Handhabungsprotokollen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Schnitt der A-Ebene (11-20) auf die Leistung der Wafer aus?
A1: Der A-Ebenen-Schnitt (11-20) sorgt für eine einheitliche kristallografische Oberfläche, die eine konsistente Abscheidung von Dünnschichten erleichtert und die Schwankungen der Substrateigenschaften minimiert, was für eine präzise Herstellung von Bauelementen entscheidend ist.

Q2: Welche Rolle spielen die Waferabmessungen für die Verarbeitungskompatibilität?
A2: Die Größe von 10x10 mm und die Dicke von 0,5 mm stellen sicher, dass der Wafer in Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen passt, wodurch die Notwendigkeit von Änderungen bei der Handhabung und den Integrationsroutinen während der Bauelementeherstellung reduziert wird.

F3: Welche Maßnahmen werden zur Minimierung von Oberflächendefekten während der Produktion eingesetzt?
A3: Der Herstellungsprozess umfasst fortschrittliche Qualitätskontrollmethoden wie Rasterelektronenmikroskopie und Profilometrie, um die Gleichmäßigkeit der Oberfläche zu prüfen und zu verifizieren, wodurch das Auftreten von Mikrodefekten reduziert wird.

Zusätzliche Informationen

Saphir, oder kristallines Al2O3, besitzt eine hohe Härte, thermische Stabilität und chemische Beständigkeit. Diese Eigenschaften begünstigen seine Verwendung als Substrat bei der Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Geräten, bei denen minimale Interferenzen und optimale Leistung entscheidend sind. Seine gut definierten kristallographischen Orientierungen helfen bei der präzisen Abscheidung von Schichten, eine wesentliche Voraussetzung für hochpräzise Fertigungsumgebungen.

In der materialwissenschaftlichen Forschung werden Saphirwafer häufig als Kalibrierungsstandards und Substrate für die Entwicklung neuer Dünnschichttechnologien verwendet. Ihre einzigartigen mechanischen und optischen Eigenschaften ermöglichen es den Forschern, fortschrittliche Gerätearchitekturen zu erforschen und gleichzeitig die Konsistenz des grundlegenden Materialverhaltens zu erhalten.