AL10248 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm Beschreibung

Der Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) hergestellt und misst 10 mm mal 5 mm bei einer Dicke von 0,5 mm. Die Ausrichtung des Wafers in der C-Ebene (0001) wurde durch Röntgenbeugung bestätigt und gewährleistet die erforderliche kristallografische Ausrichtung für Halbleiter- und optische Substratanwendungen. Durch die kontrollierte Verarbeitung werden Oberflächenfehler minimiert und die Maßhaltigkeit für die Integration in Forschungs- und Produktionsumgebungen beibehalten.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm Anwendungen

1.
Elektronik
- Verwendung als Substrat in Halbleitermodulen zur Erzielung einer stabilen Isolierleistung durch Ausnutzung der gleichmäßigen kristallographischen Ausrichtung.
- Verwendung als Trägerstruktur in mikroelektronischen Geräten zur Abschwächung thermischer Schwankungen durch Ausnutzung der hohen thermischen Stabilität.

2.
Photonik
- Verwendung als Basissubstrat in Lasersystemen zur Realisierung einer kontrollierten Lichtausbreitung durch Ausnutzung seiner hohen optischen Transparenz.
- Verwendung als optisches Fenster in spektroskopischen Geräten zur Verringerung von Interferenzeffekten durch Ausnutzung seiner chemischen Inertheit.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x5x0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist einzeln in statikfreien, kratzfesten Trägern verpackt, die in gepolsterten, verschließbaren Behältern untergebracht sind, um mechanische Stöße und Oberflächenverunreinigungen zu vermeiden. Die Verpackung ist so konzipiert, dass sie das Eindringen von Feuchtigkeit und die Exposition von Partikeln während des Transports verhindert. Zur Lagerung wird eine kontrollierte Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit empfohlen. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich rückverfolgbarer Chargenkennzeichnung und Unterteilung in Fächer, sind erhältlich, um spezifischen Labor- und Produktionsanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die kristallografische Ausrichtung überprüft?
A1: Die Ausrichtung des Wafers in der C-Ebene (0001) wird mit Hilfe der Röntgenbeugungsanalyse bestätigt, die die Kristallausrichtung und die Gleichmäßigkeit der Oberfläche quantitativ misst. Dieser Verifizierungsprozess liefert die notwendigen Daten für die Integration in Halbleiterproduktionsumgebungen.

F2: Welche Lagerungsbedingungen werden für den Wafer empfohlen?
A2: Es ist ratsam, den Wafer in einer sauberen, feuchtigkeitsarmen Umgebung und in antistatischen Behältern zu lagern, um eine Oberflächenkontamination zu vermeiden. Diese kontrollierten Bedingungen tragen dazu bei, dass die Abmessungen und kristallografischen Eigenschaften des Wafers über längere Zeit erhalten bleiben.

F3: Wie kommt die Materialzusammensetzung des Wafers der Halbleiterverarbeitung zugute?
A3: Die Zusammensetzung aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) bietet Widerstand gegen thermische und chemische Belastungen. Diese Stabilität der Materialeigenschaften ist bei der Hochtemperaturverarbeitung von entscheidender Bedeutung, da sie das Risiko einer Verformung des Substrats verringert und die Konsistenz der Bauelementeherstellung gewährleistet.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3), das zu Saphirwafern verarbeitet wird, weist eine außergewöhnliche chemische Stabilität, eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine große Härte auf. Diese Eigenschaften machen Saphir-Substrate zu einem wesentlichen Bestandteil sowohl in der Elektronik- als auch in der Photonikforschung. Materialbewertungsmethoden wie die Röntgenbeugung und die Oberflächenprofilometrie liefern wichtige Erkenntnisse über die Kristallstruktur und die Oberflächenqualität.

Fortschritte bei der Kristallzüchtung und den Verarbeitungstechniken haben die Einheitlichkeit der Wafer verbessert und die Defektdichte verringert. Diese Fortschritte unterstützen die breitere Forschung in der Materialwissenschaft und erleichtern die verbesserte Leistung und Integration von Saphirsubstraten in komplexe Halbleiter- und optische Systeme.